ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี FGA60N65SMD
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ onsemi - FGA60N65SMD คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ onsemi - FGA60N65SMD
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | onsemi | |
| แรงดันไฟฟ้า - คอ Emitter พังทลาย (สูงสุด) | 650 V | |
| VCE (ON) (สูงสุด) @ VGE ไอซี | 2.5V @ 15V, 60A | |
| ทดสอบสภาพ | 400V, 60A, 3Ohm, 15V | |
| Td (เปิด / ปิด) ที่ 25 ° C | 18ns/104ns | |
| การสลับพลังงาน | 1.54mJ (on), 450µJ (off) | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-3P | |
| ชุด | - | |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 47 ns | |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์ | 600 W |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-3P-3, SC-65-3 | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube | |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
| ประเภทขาเข้า | Standard | |
| ประเภท IGBT | Field Stop | |
| ค่าใช้จ่ายประตู | 189 nC | |
| ปัจจุบัน - คอ Pulsed (ICM) | 180 A | |
| ปัจจุบัน - สะสม (IC) (สูงสุด) | 120 A | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | FGA60N65 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ onsemi FGA60N65SMD
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
 |
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | FGA60N65SMD | FGA70N33BTDTU | FGA6065ADF | FGA60N60UFDTU |
| ผู้ผลิต | onsemi | onsemi | onsemi | onsemi |
| ค่าใช้จ่ายประตู | 189 nC | 49 nC | 84 nC | 188 nC |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube | Tube | Tube | Tube |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-3P | TO-3P | TO-3PN | TO-3PN |
| การสลับพลังงาน | 1.54mJ (on), 450µJ (off) | - | 2.46mJ (on), 520µJ (off) | 1.81mJ (on), 810µJ (off) |
| ปัจจุบัน - คอ Pulsed (ICM) | 180 A | 220 A | 180 A | 180 A |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 47 ns | 23 ns | 110 ns | 47 ns |
| ทดสอบสภาพ | 400V, 60A, 3Ohm, 15V | - | 400V, 60A, 6Ohm, 15V | 400V, 60A, 5Ohm, 15V |
| ประเภท IGBT | Field Stop | Trench | Trench Field Stop | Field Stop |
| VCE (ON) (สูงสุด) @ VGE ไอซี | 2.5V @ 15V, 60A | 1.7V @ 15V, 70A | 2.3V @ 15V, 60A | 2.4V @ 15V, 60A |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์ | 600 W | 149 W | 306 W | 298 W |
| ชุด | - | - | - | - |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-3P-3, SC-65-3 | TO-3P-3, SC-65-3 | TO-3P-3, SC-65-3 | TO-3P-3, SC-65-3 |
| Td (เปิด / ปิด) ที่ 25 ° C | 18ns/104ns | - | 25.6ns/71ns | 23ns/130ns |
| ปัจจุบัน - สะสม (IC) (สูงสุด) | 120 A | - | 120 A | 120 A |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| แรงดันไฟฟ้า - คอ Emitter พังทลาย (สูงสุด) | 650 V | 330 V | 650 V | 600 V |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | FGA60N65 | FGA70 | FGA6065 | FGA60N60 |
| ประเภทขาเข้า | Standard | Standard | Standard | Standard |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล FGA60N65SMD PDF และเอกสาร onsemi สำหรับ FGA60N65SMD - onsemi
FGA70N33BTDLDTUFairchild (onsemi)FGA70N33BTDTUonsemiIGBT 330V 149W TO3PFGA6065ADFonsemiIGBT TRENCH/FS 650V 120A TO3PN
FGA50T65Electro-Films (EFI) / VishayFGA60N60UFDTUonsemiIGBT 600V 120A 298W TO3PFGA6065ADFFairchild SemiconductorINSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOFGA90N30DFSCFGA50T65SHDFairchild SemiconductorINSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOFGA60N60SMDAMI Semiconductor/onsemiFGA6060ADFFairchild (onsemi)FGA6540WDFFairchild SemiconductorINSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOFGA6560WDFonsemiIGBT TRENCH/FS 650V 120A TO3PNFGA60N60UFDFairchild (onsemi)FGA70N33BFairchild (onsemi)FGA70N33BTDFairchild (onsemi)FGA50T65SHDonsemiIGBT TRENCH/FS 650V 100A TO3PNFGA90N30FSCFGA6540WDFonsemiIGBT TRENCH/FS 650V 80A TO3PN| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที