ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี FGAF40N60UFTU
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ onsemi - FGAF40N60UFTU คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ onsemi - FGAF40N60UFTU
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | onsemi | |
| แรงดันไฟฟ้า - คอ Emitter พังทลาย (สูงสุด) | 600 V | |
| VCE (ON) (สูงสุด) @ VGE ไอซี | 3V @ 15V, 20A | |
| ทดสอบสภาพ | 300V, 20A, 10Ohm, 15V | |
| Td (เปิด / ปิด) ที่ 25 ° C | 15ns/65ns | |
| การสลับพลังงาน | 470µJ (on), 130µJ (off) | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-3PF | |
| ชุด | - | |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์ | 100 W | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-3P-3 Full Pack |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube | |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
| ประเภทขาเข้า | Standard | |
| ประเภท IGBT | - | |
| ค่าใช้จ่ายประตู | 77 nC | |
| ปัจจุบัน - คอ Pulsed (ICM) | 160 A | |
| ปัจจุบัน - สะสม (IC) (สูงสุด) | 40 A | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | FGAF40 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ onsemi FGAF40N60UFTU
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
|
 |
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | FGAF40N60UFTU | FGA90N33ATTU | FGAF40N60UFDTU | FGA90N33ATDTU |
| ผู้ผลิต | onsemi | onsemi | onsemi | Fairchild Semiconductor |
| Td (เปิด / ปิด) ที่ 25 ° C | 15ns/65ns | - | 15ns/65ns | - |
| ประเภทขาเข้า | Standard | Standard | Standard | Standard |
| ชุด | - | - | - | - |
| ปัจจุบัน - สะสม (IC) (สูงสุด) | 40 A | 90 A | 40 A | 90 A |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| ค่าใช้จ่ายประตู | 77 nC | 95 nC | 77 nC | 95 nC |
| VCE (ON) (สูงสุด) @ VGE ไอซี | 3V @ 15V, 20A | 1.4V @ 15V, 20A | 3V @ 15V, 20A | 1.4V @ 15V, 20A |
| ประเภท IGBT | - | Trench | - | Trench |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-3P-3 Full Pack | TO-3P-3, SC-65-3 | TO-3P-3 Full Pack | TO-3P-3, SC-65-3 |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube | Tube | Tube | Bulk |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-3PF | TO-3P | TO-3PF | TO-3P |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | FGAF40 | FGA90 | FGAF40 | FGA90 |
| การสลับพลังงาน | 470µJ (on), 130µJ (off) | - | 470µJ (on), 130µJ (off) | - |
| แรงดันไฟฟ้า - คอ Emitter พังทลาย (สูงสุด) | 600 V | 330 V | 600 V | 330 V |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์ | 100 W | 223 W | 100 W | 223 W |
| ปัจจุบัน - คอ Pulsed (ICM) | 160 A | 330 A | 160 A | 330 A |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| ทดสอบสภาพ | 300V, 20A, 10Ohm, 15V | - | 300V, 20A, 10Ohm, 15V | - |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล FGAF40N60UFTU PDF และเอกสาร onsemi สำหรับ FGAF40N60UFTU - onsemi
FGAF40N60UFDFairchild (onsemi)FGA90N33ATDFairchild (onsemi)FGA90N33ATTUonsemiIGBT 330V 90A 223W TO3PFGAF40N60UFDTUonsemiIGBT 600V 40A TO3PFFGA90N33ATDTUFairchild SemiconductorIGBT, 90A, 330V, N-CHANNELFGA70N33BTDTUonsemiIGBT 330V 149W TO3P
FGAF20N60SMDonsemiIGBT FIELD STOP 600V 40A TO3PFFGAF40N60UFDTU-NLFairchild (onsemi)
FGA90N30FSCFGA90N30DFSCFGAF40N60UFTUFairchild SemiconductorINSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOFGAF20S65AQONsemiFGAF40N60SMDonsemiIGBT FIELD STOP 600V 80A TO3PFFGA90N33ATDTUonsemiIGBT 330V 90A 223W TO3PFGA70N33BTDLDTUFairchild (onsemi)FGAF40N60UFDTUFairchild SemiconductorINSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOFGAF40N60UFFairchild (onsemi)FGAF40S65AQonsemi650V 40A FS4 SA IGBT| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? โปรด เพิ่มลงในรถเข็น เราจะติดต่อคุณทันที