ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี FGH75T65SQDT-F155
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ onsemi - FGH75T65SQDT-F155 คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ onsemi - FGH75T65SQDT-F155
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | onsemi | |
| แรงดันไฟฟ้า - คอ Emitter พังทลาย (สูงสุด) | 650 V | |
| VCE (ON) (สูงสุด) @ VGE ไอซี | 2.1V @ 15V, 75A | |
| ทดสอบสภาพ | 400V, 18.8A, 4.7Ohm, 15V | |
| Td (เปิด / ปิด) ที่ 25 ° C | 23ns/120ns | |
| การสลับพลังงาน | 300µJ (on), 70µJ (off) | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-247-3 | |
| ชุด | - | |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 76 ns | |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์ | 375 W |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-247-3 | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube | |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
| ประเภทขาเข้า | Standard | |
| ประเภท IGBT | Trench Field Stop | |
| ค่าใช้จ่ายประตู | 128 nC | |
| ปัจจุบัน - คอ Pulsed (ICM) | 300 A | |
| ปัจจุบัน - สะสม (IC) (สูงสุด) | 150 A | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | FGH75 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ onsemi FGH75T65SQDT-F155
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | FGH75T65SQDT-F155 | FGH75T65SQD-F155 | FGH80N60FDTU | FGH75T65SHDTL4 |
| ผู้ผลิต | onsemi | onsemi | onsemi | onsemi |
| แรงดันไฟฟ้า - คอ Emitter พังทลาย (สูงสุด) | 650 V | 650 V | 600 V | 650 V |
| ทดสอบสภาพ | 400V, 18.8A, 4.7Ohm, 15V | - | 400V, 40A, 10Ohm, 15V | 400V, 75A, 15Ohm, 15V |
| ค่าใช้จ่ายประตู | 128 nC | 128 nC | 120 nC | 126 nC |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube | Tube | Tube | Tube |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | FGH75 | FGH75 | FGH80 | FGH75 |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-247-3 | TO-247-3 | TO-247-3 | TO-247-4 |
| VCE (ON) (สูงสุด) @ VGE ไอซี | 2.1V @ 15V, 75A | - | 2.4V @ 15V, 40A | 2.1V @ 15V, 75A |
| ประเภทขาเข้า | Standard | Standard | Standard | Standard |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| ประเภท IGBT | Trench Field Stop | Trench Field Stop | Field Stop | Field Stop |
| ปัจจุบัน - คอ Pulsed (ICM) | 300 A | 300 A | 160 A | 300 A |
| Td (เปิด / ปิด) ที่ 25 ° C | 23ns/120ns | - | 21ns/126ns | 55ns/189ns |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-247-3 | TO-247-3 | TO-247-3 | TO-247-4 |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 76 ns | 43 ns | 36 ns | 76 ns |
| ชุด | - | - | - | - |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์ | 375 W | 375 W | 290 W | 455 W |
| การสลับพลังงาน | 300µJ (on), 70µJ (off) | 760µJ (on), 180µJ (off) | 1mJ (on), 520µJ (off) | 1.06mJ (on), 1.56mJ (off) |
| ปัจจุบัน - สะสม (IC) (สูงสุด) | 150 A | 150 A | 80 A | 150 A |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล FGH75T65SQDT-F155 PDF และเอกสาร onsemi สำหรับ FGH75T65SQDT-F155 - onsemi
FGH75T65UPD-F085ONsemi
FGH75T65SQDFairchild (onsemi)FGH80N60FD2TUONsemiFGH75T65SQD-F155onsemiIGBT 650V 150A 375W TO247FGH75T65SQHAMI Semiconductor/onsemiFGH80N60FDTUonsemiIGBT 600V 80A 290W TO247FGH75T65SHDTL4onsemiIGBT FIELD STOP 650V 150A TO247FGH75T65SQDNL4onsemi650V/75 FAST IGBT FSIII TFGH75T65SHDTAMI Semiconductor/onsemiFGH75T65UPDonsemiIGBT 650V 150A 375W TO-247ABFGH75T65SHDT-F155onsemiIGBT 650V 150A 455W TO-247FGH75T65SHDTL4Fairchild SemiconductorINSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOFGH75T65SHDTLN4onsemiFS3 T TO247 75A 650V 4WLFGH80N60FDFairchild (onsemi)FGH80N60FD2Fairchild (onsemi)FGH80N60FDTFairchild (onsemi)FGH75T65SQDTFairchild (onsemi)FGH75T65SQDTL4onsemiIGBT, 650 V, 75 A FIELD STOP TRE| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที