ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี FGL60N100BNTD
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ onsemi - FGL60N100BNTD คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ onsemi - FGL60N100BNTD
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | onsemi | |
| แรงดันไฟฟ้า - คอ Emitter พังทลาย (สูงสุด) | 1000 V | |
| VCE (ON) (สูงสุด) @ VGE ไอซี | 2.9V @ 15V, 60A | |
| ทดสอบสภาพ | 600V, 60A, 51Ohm, 15V | |
| Td (เปิด / ปิด) ที่ 25 ° C | 140ns/630ns | |
| การสลับพลังงาน | - | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-264-3 | |
| ชุด | - | |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 1.2 µs | |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์ | 180 W |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-264-3, TO-264AA | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube | |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
| ประเภทขาเข้า | Standard | |
| ประเภท IGBT | NPT and Trench | |
| ค่าใช้จ่ายประตู | 275 nC | |
| ปัจจุบัน - คอ Pulsed (ICM) | 120 A | |
| ปัจจุบัน - สะสม (IC) (สูงสุด) | 60 A | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | FGL60N100 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ onsemi FGL60N100BNTD
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
 |
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | FGL60N100BNTD | FGL40N120ANTU | FGL40N120ANDTU | FGL40N120ANDTU |
| ผู้ผลิต | onsemi | onsemi | Fairchild Semiconductor | onsemi |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | FGL60N100 | FGL40N120 | - | FGL40N120 |
| แรงดันไฟฟ้า - คอ Emitter พังทลาย (สูงสุด) | 1000 V | 1200 V | - | 1200 V |
| ปัจจุบัน - คอ Pulsed (ICM) | 120 A | 160 A | - | 160 A |
| ประเภท IGBT | NPT and Trench | NPT | - | NPT |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| ปัจจุบัน - สะสม (IC) (สูงสุด) | 60 A | 64 A | - | 64 A |
| VCE (ON) (สูงสุด) @ VGE ไอซี | 2.9V @ 15V, 60A | 3.2V @ 15V, 40A | - | 3.2V @ 15V, 40A |
| ทดสอบสภาพ | 600V, 60A, 51Ohm, 15V | 600V, 40A, 5Ohm, 15V | - | 600V, 40A, 5Ohm, 15V |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-264-3 | TO-264-3 | - | TO-264-3 |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 1.2 µs | - | - | 112 ns |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube | Bulk | Bulk | Tube |
| ประเภทขาเข้า | Standard | Standard | - | Standard |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | Through Hole | - | Through Hole |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-264-3, TO-264AA | TO-264-3, TO-264AA | - | TO-264-3, TO-264AA |
| การสลับพลังงาน | - | 2.3mJ (on), 1.1mJ (off) | - | 2.3mJ (on), 1.1mJ (off) |
| ชุด | - | - | * | - |
| ค่าใช้จ่ายประตู | 275 nC | 220 nC | - | 220 nC |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์ | 180 W | 500 W | - | 500 W |
| Td (เปิด / ปิด) ที่ 25 ° C | 140ns/630ns | 15ns/110ns | - | 15ns/110ns |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล FGL60N100BNTD PDF และเอกสาร onsemi สำหรับ FGL60N100BNTD - onsemi
FGL40N120ANTUonsemiIGBT NPT 1200V 64A TO264-3FGL60N170DFairchild (onsemi)FGL9704559180-133PGLFGL40N120ANDTUFairchild SemiconductorINSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOFGL40N120ANDTUonsemiIGBT NPT 1200V 64A TO264-3FGL9705745308N/AFGL40N120ANFairchild (onsemi)FGL40N60ANTDFairchild (onsemi)FGL60N60ANTDFairchild (onsemi)FGL160N60UFDFairchild (onsemi)FGY75T120SQDNonsemiIGBT 1200V 75A UFSFGL40N150ANTDFairchild (onsemi)FGL12040WDonsemiIGBT TRENCH/FS 1200V 80A TO264-3FGL40N120ANDAMI Semiconductor/onsemiFGL40N150DTUFairchild SemiconductorIGBT, 40A, 1500V, N-CHANNEL
FGLD12SR6040NAFDK America, Inc., a member of Fujitsu GroupDC DC CONVERTER 0.45-2V 80WFGL60N100BNTDTUonsemiIGBT 1000V 60A 180W TO264FGL40N120ANTUFairchild SemiconductorINSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที