ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี FJB3307DTM
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ onsemi - FJB3307DTM คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ onsemi - FJB3307DTM
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | onsemi | |
| แรงดันไฟฟ้า - คอ Emitter พังทลาย (สูงสุด) | 400 V | |
| VCE อิ่มตัว (สูงสุด) @ Ib, Ic | 3V @ 2A, 8A | |
| ประเภททรานซิสเตอร์ | NPN | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | D²PAK | |
| ชุด | - | |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์ | 1.72 W | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | |
| อุณหภูมิในการทำงาน | 150°C (TJ) | |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | |
| ความถี่ - การเปลี่ยน | - | |
| DC กำไรปัจจุบัน (HFE) (ต่ำสุด) @ IC, VCE | 5 @ 5A, 5V | |
| ปัจจุบัน - นักลัด (สูงสุด) | - | |
| ปัจจุบัน - สะสม (IC) (สูงสุด) | 8 A |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ onsemi FJB3307DTM
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
 |
 |
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | FJB3307DTM | JAN2N2222A | SS9011HBU | DCX53-13 |
| ผู้ผลิต | onsemi | Microchip Technology | Fairchild Semiconductor | Diodes Incorporated |
| VCE อิ่มตัว (สูงสุด) @ Ib, Ic | 3V @ 2A, 8A | 1V @ 50mA, 500mA | 300mV @ 1mA, 10mA | 500mV @ 50mA, 500mA |
| ปัจจุบัน - นักลัด (สูงสุด) | - | 50nA | 100nA (ICBO) | 100nA (ICBO) |
| ประเภททรานซิสเตอร์ | NPN | NPN | NPN | PNP |
| แรงดันไฟฟ้า - คอ Emitter พังทลาย (สูงสุด) | 400 V | 50 V | 30 V | 80 V |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | Bulk | Bulk | Tape & Reel (TR) |
| DC กำไรปัจจุบัน (HFE) (ต่ำสุด) @ IC, VCE | 5 @ 5A, 5V | 100 @ 150mA, 10V | 97 @ 1mA, 5V | 63 @ 150mA, 2V |
| อุณหภูมิในการทำงาน | 150°C (TJ) | -65°C ~ 200°C (TJ) | 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | Through Hole | Through Hole | Surface Mount |
| ปัจจุบัน - สะสม (IC) (สูงสุด) | 8 A | 800 mA | 30 mA | 1 A |
| ชุด | - | Military, MIL-PRF-19500/255 | - | - |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | D²PAK | TO-218 | TO-92-3 | SOT-89-3 |
| ความถี่ - การเปลี่ยน | - | - | 2MHz | 200MHz |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | TO-206AA, TO-18-3 Metal Can | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) | TO-243AA |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์ | 1.72 W | 500 mW | 400 mW | 1 W |
JAN2N2222AMicrochip TechnologyTRANS NPN 50V 0.8A TO218SS9011HBUFairchild SemiconductorTRANS NPN 30V 0.03A TO92-3DCX53-13Diodes IncorporatedTRANS PNP 80V 1A SOT89-3
KSC5305DTUonsemiTRANS NPN 400V 5A TO220-3
KSA1156YSTSTUonsemiTRANS PNP 400V 0.5A TO126-3
JANTX2N3737Microchip TechnologyTRANS NPN 40V 1.5A TO46
MPSA06onsemiTRANS NPN 80V 0.5A TO92-32SD1229onsemiPOWER BIPOLAR TRANSISTOR NPNNJL3281DGonsemiTRANS NPN 260V 15A TO264
MJE170onsemiTRANS PNP 40V 3A TO126MJF122GonsemiTRANS NPN DARL 100V 5A TO220FPKST4403MTFFairchild SemiconductorTRANS PNP 40V 0.6A SOT23-3
2SC5868TLRRohm SemiconductorTRANS NPN 60V 0.5A TSMT3FJB3307DTMFairchild SemiconductorTRANS NPN 400V 8A D2PAKFCX1051ATADiodes IncorporatedTRANS NPN 40V 3A SOT89-3BCX5210TADiodes IncorporatedTRANS PNP 60V 1A SOT89-3
2N1131Microchip TechnologyPOWER BJT
FJB102TMonsemiTRANS NPN DARL 100V 8A D2PAK| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที