ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี FJE3303TU
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ onsemi - FJE3303TU คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ onsemi - FJE3303TU
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | onsemi | |
| แรงดันไฟฟ้า - คอ Emitter พังทลาย (สูงสุด) | 400 V | |
| VCE อิ่มตัว (สูงสุด) @ Ib, Ic | 3V @ 500mA, 1.5A | |
| ประเภททรานซิสเตอร์ | NPN | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-126-3 | |
| ชุด | - | |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์ | 20 W | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-225AA, TO-126-3 |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube | |
| อุณหภูมิในการทำงาน | 150°C (TJ) | |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
| ความถี่ - การเปลี่ยน | 4MHz | |
| DC กำไรปัจจุบัน (HFE) (ต่ำสุด) @ IC, VCE | 8 @ 500mA, 2V | |
| ปัจจุบัน - นักลัด (สูงสุด) | 10µA (ICBO) | |
| ปัจจุบัน - สะสม (IC) (สูงสุด) | 1.5 A | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | FJE3303 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ onsemi FJE3303TU
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
 |
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | FJE3303TU | FJE3303H1TU | KSD1691YS | FJE3303H1TU |
| ผู้ผลิต | onsemi | Fairchild Semiconductor | onsemi | onsemi |
| DC กำไรปัจจุบัน (HFE) (ต่ำสุด) @ IC, VCE | 8 @ 500mA, 2V | 8 @ 500mA, 2V | 160 @ 2A, 1V | 8 @ 500mA, 2V |
| อุณหภูมิในการทำงาน | 150°C (TJ) | 150°C (TJ) | 150°C (TJ) | 150°C (TJ) |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-126-3 | TO-126-3 | TO-126-3 | TO-126-3 |
| ประเภททรานซิสเตอร์ | NPN | NPN | NPN | NPN |
| VCE อิ่มตัว (สูงสุด) @ Ib, Ic | 3V @ 500mA, 1.5A | 3V @ 500mA, 1.5A | 300mV @ 200mA, 2A | 3V @ 500mA, 1.5A |
| แรงดันไฟฟ้า - คอ Emitter พังทลาย (สูงสุด) | 400 V | 400 V | 60 V | 400 V |
| ความถี่ - การเปลี่ยน | 4MHz | 4MHz | - | 4MHz |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-225AA, TO-126-3 | TO-225AA, TO-126-3 | TO-225AA, TO-126-3 | TO-225AA, TO-126-3 |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | FJE3303 | - | KSD1691 | FJE3303 |
| ปัจจุบัน - สะสม (IC) (สูงสุด) | 1.5 A | 1.5 A | 5 A | 1.5 A |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์ | 20 W | 20 W | 1.3 W | 20 W |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube | Bulk | Bulk | Tube |
| ชุด | - | - | - | - |
| ปัจจุบัน - นักลัด (สูงสุด) | 10µA (ICBO) | 10µA (ICBO) | 10µA (ICBO) | 10µA (ICBO) |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล FJE3303TU PDF และเอกสาร onsemi สำหรับ FJE3303TU - onsemi
FJE3303H1TUFairchild SemiconductorPOWER BIPOLAR TRANSISTOR, 1.5A,KSD1691YSonsemiTRANS NPN 60V 5A TO126-3FJE3303H1TUonsemiTRANS NPN 400V 1.5A TO126-3FJE3303H2TUonsemiTRANS NPN 400V 1.5A TO126-3
MJD117GonsemiTRANS PNP DARL 100V 2A DPAKKSC3953DSTUonsemiTRANS NPN 120V 0.2A TO126-3UMD12NYangjie TechnologyTransistors - Bipolar (BJT) - SiBC556BBUFairchild SemiconductorTRANS PNP 65V 0.1A TO92-3
BCX52TADiodes IncorporatedTRANS PNP 60V 1A SOT89-3
MPSA56RAonsemiTRANS PNP 80V 0.5A TO92-3FJE5304DonsemiTRANS NPN 400V 4A TO126-3
2SD2351T106WRohm SemiconductorTRANS NPN 50V 0.15A UMT3
ZTX869Diodes IncorporatedTRANS NPN 25V 5A E-LINEFJE5304DFairchild SemiconductorTRANS NPN 400V 4A TO126-32SCR513RTLRohm SemiconductorTRANS NPN 50V 1A TSMT3
TIP115NTE Electronics, IncTRANS PNP DARL 60V TO220-3
2SB1440GRLPanasonic Electronic ComponentsTRANS PNP 50V 2A MINIP3-F2KSA940Fairchild SemiconductorTRANS PNP 150V 1.5A TO220-3| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที