ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี FJV3112RMTF
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ onsemi - FJV3112RMTF คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ onsemi - FJV3112RMTF
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | onsemi | |
| แรงดันไฟฟ้า - คอ Emitter พังทลาย (สูงสุด) | 40 V | |
| VCE อิ่มตัว (สูงสุด) @ Ib, Ic | 300mV @ 1mA, 10mA | |
| ประเภททรานซิสเตอร์ | NPN - Pre-Biased | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | SOT-23-3 | |
| ชุด | - | |
| ตัวต้านทาน - ฐาน (R1) | 47 kOhms | |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์ | 200 mW |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | |
| ความถี่ - การเปลี่ยน | 250 MHz | |
| DC กำไรปัจจุบัน (HFE) (ต่ำสุด) @ IC, VCE | 100 @ 1mA, 5V | |
| ปัจจุบัน - นักลัด (สูงสุด) | 100nA (ICBO) | |
| ปัจจุบัน - สะสม (IC) (สูงสุด) | 100 mA | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | FJV311 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ onsemi FJV3112RMTF
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | FJV3112RMTF | FJV3105RMTF | FJV3110RMTF | FJV3115RMTF |
| ผู้ผลิต | onsemi | Fairchild Semiconductor | Fairchild Semiconductor | onsemi |
| VCE อิ่มตัว (สูงสุด) @ Ib, Ic | 300mV @ 1mA, 10mA | 300mV @ 500µA, 10mA | 300mV @ 1mA, 10mA | 300mV @ 500µA, 10mA |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | SOT-23-3 | SOT-23-3 (TO-236) | SOT-23-3 | SOT-23-3 |
| แรงดันไฟฟ้า - คอ Emitter พังทลาย (สูงสุด) | 40 V | 50 V | 40 V | 50 V |
| ชุด | - | - | - | - |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| ปัจจุบัน - นักลัด (สูงสุด) | 100nA (ICBO) | 100nA (ICBO) | 100nA (ICBO) | 100nA (ICBO) |
| ประเภททรานซิสเตอร์ | NPN - Pre-Biased | NPN - Pre-Biased | NPN - Pre-Biased | NPN - Pre-Biased |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์ | 200 mW | 200 mW | 200 mW | 200 mW |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | Bulk | Bulk | Tape & Reel (TR) |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| DC กำไรปัจจุบัน (HFE) (ต่ำสุด) @ IC, VCE | 100 @ 1mA, 5V | 30 @ 5mA, 5V | 100 @ 1mA, 5V | 33 @ 10mA, 5V |
| ความถี่ - การเปลี่ยน | 250 MHz | 250 MHz | 250 MHz | 250 MHz |
| ตัวต้านทาน - ฐาน (R1) | 47 kOhms | 4.7 kOhms | 10 kOhms | 2.2 kOhms |
| ปัจจุบัน - สะสม (IC) (สูงสุด) | 100 mA | 100 mA | 100 mA | 100 mA |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | FJV311 | FJV310 | FJV311 | FJV311 |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล FJV3112RMTF PDF และเอกสาร onsemi สำหรับ FJV3112RMTF - onsemi
FJV3105RMTFFairchild Semiconductor0.1A, 50V, NPNFJV3110RMTFFairchild Semiconductor0.1A, 40V, NPNFJV3115RMTFonsemiTRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3FJV4101RMTFonsemiTRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3FJV3111RMTFFairchild SemiconductorSMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTORFJV3113RMTFFairchild Semiconductor0.1A, 50V, NPNFJV3115RMTFFairchild Semiconductor0.1A, 50V, NPNFJV3110RMTFonsemiTRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3FJV3108RMTFonsemiTRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3FJV3113RMTFonsemiTRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3FJV4102RLIMTFFairchild (onsemi)FJV4101RMTFFairchild Semiconductor0.1A, 50V, PNPFJV3114RMTFonsemiTRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3FJV3106RMTFonsemiTRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3FJV3109RMTFonsemiTRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3FJV3111RMTFonsemiTRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3
FJV3105RMTFonsemiSMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR,FJV3114RMTFFairchild SemiconductorSMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR,| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที