ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี FJV4112RMTF
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ onsemi - FJV4112RMTF คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ onsemi - FJV4112RMTF
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | onsemi | |
| แรงดันไฟฟ้า - คอ Emitter พังทลาย (สูงสุด) | 40 V | |
| VCE อิ่มตัว (สูงสุด) @ Ib, Ic | 300mV @ 1mA, 10mA | |
| ประเภททรานซิสเตอร์ | PNP - Pre-Biased | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | SOT-23-3 | |
| ชุด | - | |
| ตัวต้านทาน - ฐาน (R1) | 47 kOhms | |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์ | 200 mW |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | |
| ความถี่ - การเปลี่ยน | 200 MHz | |
| DC กำไรปัจจุบัน (HFE) (ต่ำสุด) @ IC, VCE | 100 @ 1mA, 5V | |
| ปัจจุบัน - นักลัด (สูงสุด) | 100nA (ICBO) | |
| ปัจจุบัน - สะสม (IC) (สูงสุด) | 100 mA | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | FJV411 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ onsemi FJV4112RMTF
| คุณสมบัติสินค้า |  |
|
|
 |
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | FJV4112RMTF | FJV4111RMTF | FJV4114RMTF | FJV4113RMTF |
| ผู้ผลิต | onsemi | onsemi | onsemi | Fairchild Semiconductor |
| ปัจจุบัน - นักลัด (สูงสุด) | 100nA (ICBO) | 100nA (ICBO) | 100nA (ICBO) | 100nA (ICBO) |
| DC กำไรปัจจุบัน (HFE) (ต่ำสุด) @ IC, VCE | 100 @ 1mA, 5V | 100 @ 1mA, 5V | 68 @ 5mA, 5V | 68 @ 5mA, 5V |
| ความถี่ - การเปลี่ยน | 200 MHz | 200 MHz | 200 MHz | 200 MHz |
| ประเภททรานซิสเตอร์ | PNP - Pre-Biased | PNP - Pre-Biased | PNP - Pre-Biased | PNP - Pre-Biased |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Bulk |
| ชุด | - | - | - | - |
| VCE อิ่มตัว (สูงสุด) @ Ib, Ic | 300mV @ 1mA, 10mA | 300mV @ 1mA, 10mA | 300mV @ 500µA, 10mA | 300mV @ 500µA, 10mA |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์ | 200 mW | 200 mW | 200 mW | 200 mW |
| ปัจจุบัน - สะสม (IC) (สูงสุด) | 100 mA | 100 mA | 100 mA | 100 mA |
| ตัวต้านทาน - ฐาน (R1) | 47 kOhms | 22 kOhms | 4.7 kOhms | 2.2 kOhms |
| แรงดันไฟฟ้า - คอ Emitter พังทลาย (สูงสุด) | 40 V | 40 V | 50 V | 50 V |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | FJV411 | FJV411 | FJV411 | FJV411 |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | SOT-23-3 | SOT-23-3 | SOT-23-3 | SOT-23-3 |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล FJV4112RMTF PDF และเอกสาร onsemi สำหรับ FJV4112RMTF - onsemi
FJV4111RMTFonsemiTRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3FJV4114RMTFonsemiTRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3
FJV92MTFonsemiTRANS PNP 350V 0.5A SOT23-3FJV4113RMTFFairchild Semiconductor0.1A, 50V, PNPFJV4110RMTFFairchild SemiconductorSMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTORFJV4109RMTFFairchild SemiconductorSMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTORFJV4105RMTFonsemiTRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3FJV992EMTFAMI Semiconductor/onsemiFJV4110RMTFonsemiTRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3FJV4108RMTFonsemiTRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3FJV4109RMTFonsemiTRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3FJV4114RMTFFairchild Semiconductor0.1A, 50V, PNPFJV4113RMTFonsemiTRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3FJV992FMTFonsemiTRANS PNP 120V 0.05A SOT23-3FJV42MTFonsemiTRANS NPN 350V 0.5A SOT23-3FJV92MTFFairchild SemiconductorTRANS PNP 350V 0.5A SOT23-3FJV4107RMTFonsemiTRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3FJV4106RMTFonsemiTRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที