ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี FP7G50US60
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ onsemi - FP7G50US60 คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ onsemi - FP7G50US60
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | onsemi | |
| แรงดันไฟฟ้า - คอ Emitter พังทลาย (สูงสุด) | 600 V | |
| VCE (ON) (สูงสุด) @ VGE ไอซี | 2.8V @ 15V, 50A | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | EPM7 | |
| ชุด | Power-SPM™ | |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์ | 250 W | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | EPM7 | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube | |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -40°C ~ 125°C (TJ) |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| กทช Thermistor | No | |
| ประเภทการติดตั้ง | Chassis Mount | |
| การป้อนข้อมูลการประจุกระแสไฟ (Cies) @ VCE | 2.92 nF @ 30 V | |
| อินพุต | Standard | |
| ประเภท IGBT | - | |
| ปัจจุบัน - นักลัด (สูงสุด) | 250 µA | |
| ปัจจุบัน - สะสม (IC) (สูงสุด) | 50 A | |
| องค์ประกอบ | Half Bridge | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | FP7G50 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ onsemi FP7G50US60
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
 |
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | FP7G50US60 | FP7G75US60 | FP7G75US60 | FP7G100US60 |
| ผู้ผลิต | onsemi | Fairchild Semiconductor | onsemi | Fairchild Semiconductor |
| ปัจจุบัน - สะสม (IC) (สูงสุด) | 50 A | 75 A | 75 A | 100 A |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube | Tube | Tube | Tube |
| องค์ประกอบ | Half Bridge | Half Bridge | Half Bridge | Half Bridge |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์ | 250 W | 310 W | 310 W | 400 W |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -40°C ~ 125°C (TJ) | -40°C ~ 125°C (TJ) | -40°C ~ 125°C (TJ) | -40°C ~ 125°C (TJ) |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | EPM7 | EPM7 | EPM7 | EPM7 |
| ชุด | Power-SPM™ | Power-SPM™ | Power-SPM™ | Power-SPM™ |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | EPM7 | EPM7 | EPM7 | EPM7 |
| กทช Thermistor | No | No | No | No |
| ปัจจุบัน - นักลัด (สูงสุด) | 250 µA | 250 µA | 250 µA | 250 µA |
| แรงดันไฟฟ้า - คอ Emitter พังทลาย (สูงสุด) | 600 V | 600 V | 600 V | 600 V |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | FP7G50 | - | FP7G75 | - |
| อินพุต | Standard | Standard | Standard | Standard |
| ประเภทการติดตั้ง | Chassis Mount | Chassis Mount | Chassis Mount | Chassis Mount |
| การป้อนข้อมูลการประจุกระแสไฟ (Cies) @ VCE | 2.92 nF @ 30 V | 4.515 nF @ 30 V | 4.515 nF @ 30 V | 6.085 nF @ 30 V |
| ประเภท IGBT | - | - | - | - |
| VCE (ON) (สูงสุด) @ VGE ไอซี | 2.8V @ 15V, 50A | 2.8V @ 15V, 75A | 2.8V @ 15V, 75A | 2.8V @ 15V, 100A |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล FP7G50US60 PDF และเอกสาร onsemi สำหรับ FP7G50US60 - onsemi
FP77350WQCTRFITIPOWER
FP75R17N3E4Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)IGBT ModuleFP75R12N2T4Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)IGBT ModuleFP75R12KT4_B15Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)IGBT ModuleFP7G150US60Fairchild (onsemi)FP7G75US60Fairchild SemiconductorIGBTFP7710AWQCTRFITIPOWERFP7723X3FITIPOWERFP7702WQCTRFITIPOWERFP7710BWQCTRFITIPOWERFP7G75US60onsemiIGBT MODULE 600V 75A 310W EPM7FP7G100US60Fairchild SemiconductorIGBT, 100A, 600V, N-CHANNELFP77120WQCTRFITPOWERFP7G50US60Fairchild SemiconductorIGBTFP7G100US60onsemiIGBT MODULE 600V 100A 400W EPM7FP75R17N3E4_B11Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)IGBT ModuleFP7721BX2FITIPOWERFP7732BWQCTRFITIPOWER| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที