ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี FQA10N60C
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ onsemi - FQA10N60C คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ onsemi - FQA10N60C
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | onsemi | |
| VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 4V @ 250µA | |
| Vgs (สูงสุด) | ±30V | |
| เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-3P | |
| ชุด | QFET® | |
| RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 730mOhm @ 5A, 10V | |
| พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 192W (Tc) | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-3P-3, SC-65-3 | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
| Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 2040 pF @ 25 V | |
| ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 57 nC @ 10 V | |
| ประเภท FET | N-Channel | |
| คุณสมบัติ FET | - | |
| แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 10V | |
| ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 600 V | |
| ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 10A (Tc) | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | FQA1 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ onsemi FQA10N60C
| คุณสมบัติสินค้า |  |
|
 |
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | FQA10N60C | FQA10N80 | FQA11N90C-F109 | FQA11N90C |
| ผู้ผลิต | onsemi | onsemi | onsemi | onsemi |
| พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 192W (Tc) | 240W (Tc) | - | 300W (Tc) |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube | Tube | Bulk | Tube |
| RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 730mOhm @ 5A, 10V | 1.05Ohm @ 4.9A, 10V | - | 1.1Ohm @ 5.5A, 10V |
| เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | - | MOSFET (Metal Oxide) |
| แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 10V | 10V | - | 10V |
| คุณสมบัติ FET | - | - | - | - |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | Through Hole | - | Through Hole |
| ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 57 nC @ 10 V | 71 nC @ 10 V | - | 80 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 2040 pF @ 25 V | 2700 pF @ 25 V | - | 3290 pF @ 25 V |
| ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 10A (Tc) | 9.8A (Tc) | - | 11A (Tc) |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-3P | TO-3P | - | TO-3P |
| VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 4V @ 250µA | 5V @ 250µA | - | 5V @ 250µA |
| Vgs (สูงสุด) | ±30V | ±30V | - | ±30V |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | FQA1 | FQA1 | - | FQA1 |
| ประเภท FET | N-Channel | N-Channel | - | N-Channel |
| ชุด | QFET® | QFET® | * | QFET® |
| ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 600 V | 800 V | - | 900 V |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-3P-3, SC-65-3 | TO-3P-3, SC-65-3 | - | TO-3P-3, SC-65-3 |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล FQA10N60C PDF และเอกสาร onsemi สำหรับ FQA10N60C - onsemi
FQA10N80onsemiMOSFET N-CH 800V 9.8A TO3PFQA11N90C-F109onsemiPOWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1FQA11N90ConsemiMOSFET N-CH 900V 11A TO3PFQA11N90FAMI Semiconductor/onsemiFQA11N90onsemiMOSFET N-CH 900V 11.4A TO3P
FQA12N60CFairchild (onsemi)FQA12N60Fairchild SemiconductorMOSFET N-CH 600V 12A TO3PFQA11N90Fairchild SemiconductorMOSFET N-CH 900V 11.4A TO3PFQA12N60onsemiMOSFET N-CH 600V 12A TO3PFQA11N90C_F109Fairchild (onsemi)FQA10N80C_F109Fairchild (onsemi)FQA11N90_F109Fairchild (onsemi)FQA10N80ConsemiMOSFET N-CH 800V 10A TO3PFQA11N90-F109ONsemiFQA10N80CFairchild SemiconductorMOSFET N-CH 800V 10A TO3PFQA11N40Fairchild (onsemi)FQA10N60CFairchild SemiconductorMOSFET N-CH 600V 10A TO3PFQA10N80Fairchild SemiconductorMOSFET N-CH 800V 9.8A TO3P| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที