ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี FQA85N06
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ onsemi - FQA85N06 คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ onsemi - FQA85N06
คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
---|---|---|
ผู้ผลิต | onsemi | |
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 4V @ 250µA | |
Vgs (สูงสุด) | ±25V | |
เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | |
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-3P | |
ชุด | QFET® | |
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 10mOhm @ 50A, 10V | |
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 214W (Tc) | |
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-3P-3, SC-65-3 | |
บรรจุุภัณฑ์ | Tube |
คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
---|---|---|
อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 4120 pF @ 25 V | |
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 112 nC @ 10 V | |
ประเภท FET | N-Channel | |
คุณสมบัติ FET | - | |
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 10V | |
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 60 V | |
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 100A (Tc) | |
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | FQA8 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ onsemi FQA85N06
คุณสมบัติสินค้า | ||||
---|---|---|---|---|
รุ่นผลิตภัณฑ์ | FQA85N06 | FQA7N60 | FQA90N08 | FQA70N15 |
ผู้ผลิต | onsemi | onsemi | onsemi | Fairchild Semiconductor |
ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 214W (Tc) | 152W (Tc) | 214W (Tc) | 330W (Tc) |
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 4V @ 250µA | 5V @ 250µA | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA |
คุณสมบัติ FET | - | - | - | - |
ประเภท FET | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
Vgs (สูงสุด) | ±25V | ±30V | ±25V | ±25V |
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 100A (Tc) | 7.7A (Tc) | 90A (Tc) | 70A (Tc) |
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-3P | TO-3P | TO-3PN | TO-3PN |
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 60 V | 600 V | 80 V | 150 V |
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | FQA8 | FQA7 | FQA90 | - |
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 112 nC @ 10 V | 38 nC @ 10 V | 110 nC @ 10 V | 175 nC @ 10 V |
ชุด | QFET® | QFET® | QFET® | QFET® |
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 10mOhm @ 50A, 10V | 1Ohm @ 3.9A, 10V | 16mOhm @ 45A, 10V | 28mOhm @ 35A, 10V |
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-3P-3, SC-65-3 | TO-3P-3, SC-65-3 | TO-3P-3, SC-65-3 | TO-3P-3, SC-65-3 |
บรรจุุภัณฑ์ | Tube | Tube | Tube | Bulk |
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 4120 pF @ 25 V | 1430 pF @ 25 V | 3250 pF @ 25 V | 5400 pF @ 25 V |
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 10V | 10V | 10V | 10V |
อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) |
เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล FQA85N06 PDF และเอกสาร onsemi สำหรับ FQA85N06 - onsemi
การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
---|---|---|
ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
บราซิล | 7 | |
ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
ประเทศอังกฤษ | 4 | |
อิตาลี | 5 | |
มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
นิวซีแลนด์ | 5 | |
เอเชีย | อินเดีย | 4 |
ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
---|---|
ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที