ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี FQD17N08LTM
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ onsemi - FQD17N08LTM คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ onsemi - FQD17N08LTM
คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
---|---|---|
ผู้ผลิต | onsemi | |
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 2V @ 250µA | |
Vgs (สูงสุด) | ±20V | |
เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | |
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | D-Pak | |
ชุด | QFET® | |
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 100mOhm @ 6.45A, 10V | |
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 2.5W (Ta), 40W (Tc) | |
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | |
บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) |
คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
---|---|---|
อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | |
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 520 pF @ 25 V | |
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 11.5 nC @ 5 V | |
ประเภท FET | N-Channel | |
คุณสมบัติ FET | - | |
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 5V, 10V | |
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 80 V | |
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 12.9A (Tc) | |
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | FQD17N08 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ onsemi FQD17N08LTM
คุณสมบัติสินค้า | ![]() |
![]() |
![]() |
|
---|---|---|---|---|
รุ่นผลิตภัณฑ์ | FQD17N08LTM | FQD16N15TM | FQD17N08LTF | FQD17P06TM |
ผู้ผลิต | onsemi | onsemi | Fairchild Semiconductor | onsemi |
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
คุณสมบัติ FET | - | - | - | - |
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 12.9A (Tc) | 11.8A (Tc) | 12.9A (Tc) | 12A (Tc) |
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 11.5 nC @ 5 V | 30 nC @ 10 V | 11.5 nC @ 5 V | 27 nC @ 10 V |
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 520 pF @ 25 V | 910 pF @ 25 V | 520 pF @ 25 V | 900 pF @ 25 V |
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 80 V | 150 V | 80 V | 60 V |
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | D-Pak | TO-252AA | TO-252-3 (DPAK) | TO-252AA |
ชุด | QFET® | QFET® | QFET® | QFET® |
ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 2.5W (Ta), 40W (Tc) | 2.5W (Ta), 55W (Tc) | 2.5W (Ta), 40W (Tc) | 2.5W (Ta), 44W (Tc) |
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 2V @ 250µA | 4V @ 250µA | 2V @ 250µA | 4V @ 250µA |
Vgs (สูงสุด) | ±20V | ±25V | ±20V | ±25V |
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 100mOhm @ 6.45A, 10V | 160mOhm @ 5.9A, 10V | 100mOhm @ 6.45A, 10V | 135mOhm @ 6A, 10V |
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 5V, 10V | 10V | 5V, 10V | 10V |
เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Bulk | Tape & Reel (TR) |
อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
ประเภท FET | N-Channel | N-Channel | N-Channel | P-Channel |
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | FQD17N08 | FQD1 | - | FQD17P06 |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล FQD17N08LTM PDF และเอกสาร onsemi สำหรับ FQD17N08LTM - onsemi
การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
---|---|---|
ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
บราซิล | 7 | |
ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
ประเทศอังกฤษ | 4 | |
อิตาลี | 5 | |
มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
นิวซีแลนด์ | 5 | |
เอเชีย | อินเดีย | 4 |
ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
---|---|
ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที