ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี FQD19N10LTF
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ onsemi - FQD19N10LTF คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ onsemi - FQD19N10LTF
คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
---|---|---|
ผู้ผลิต | onsemi | |
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 2V @ 250µA | |
Vgs (สูงสุด) | ±20V | |
เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | |
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-252AA | |
ชุด | QFET® | |
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 100mOhm @ 7.8A, 10V | |
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 2.5W (Ta), 50W (Tc) | |
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | |
บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) |
คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
---|---|---|
อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | |
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 870 pF @ 25 V | |
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 18 nC @ 5 V | |
ประเภท FET | N-Channel | |
คุณสมบัติ FET | - | |
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 5V, 10V | |
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 100 V | |
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 15.6A (Tc) | |
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | FQD1 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ onsemi FQD19N10LTF
คุณสมบัติสินค้า | ![]() |
![]() |
![]() |
![]() |
---|---|---|---|---|
รุ่นผลิตภัณฑ์ | FQD19N10LTF | FQD18N20V2TM | FQD17P06TM | FQD1N60CTM |
ผู้ผลิต | onsemi | onsemi | onsemi | onsemi |
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 100mOhm @ 7.8A, 10V | 140mOhm @ 7.5A, 10V | 135mOhm @ 6A, 10V | 11.5Ohm @ 500mA, 10V |
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-252AA | TO-252AA | TO-252AA | TO-252AA |
บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | FQD1 | FQD18N20 | FQD17P06 | FQD1N60 |
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 18 nC @ 5 V | 26 nC @ 10 V | 27 nC @ 10 V | 6.2 nC @ 10 V |
อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
ประเภท FET | N-Channel | N-Channel | P-Channel | N-Channel |
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 870 pF @ 25 V | 1080 pF @ 25 V | 900 pF @ 25 V | 170 pF @ 25 V |
คุณสมบัติ FET | - | - | - | - |
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 2.5W (Ta), 50W (Tc) | 2.5W (Ta), 83W (Tc) | 2.5W (Ta), 44W (Tc) | 2.5W (Ta), 28W (Tc) |
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 5V, 10V | 10V | 10V | 10V |
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 2V @ 250µA | 5V @ 250µA | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA |
ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
Vgs (สูงสุด) | ±20V | ±30V | ±25V | ±30V |
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 100 V | 200 V | 60 V | 600 V |
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 15.6A (Tc) | 15A (Tc) | 12A (Tc) | 1A (Tc) |
ชุด | QFET® | QFET® | QFET® | QFET® |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล FQD19N10LTF PDF และเอกสาร onsemi สำหรับ FQD19N10LTF - onsemi
การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
---|---|---|
ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
บราซิล | 7 | |
ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
ประเทศอังกฤษ | 4 | |
อิตาลี | 5 | |
มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
นิวซีแลนด์ | 5 | |
เอเชีย | อินเดีย | 4 |
ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
---|---|
ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที