ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี FQI13N50CTU
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ onsemi - FQI13N50CTU คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ onsemi - FQI13N50CTU
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | onsemi | |
| VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 4V @ 250µA | |
| Vgs (สูงสุด) | ±30V | |
| เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | I2PAK (TO-262) | |
| ชุด | QFET® | |
| RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 480mOhm @ 6.5A, 10V | |
| พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 195W (Tc) | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
| Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 2055 pF @ 25 V | |
| ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 56 nC @ 10 V | |
| ประเภท FET | N-Channel | |
| คุณสมบัติ FET | - | |
| แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 10V | |
| ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 500 V | |
| ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 13A (Tc) | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | FQI13N50 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ onsemi FQI13N50CTU
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
|
 |
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | FQI13N50CTU | FQI13N50CTU | FQI19N20TU | FQI12N60TU |
| ผู้ผลิต | onsemi | Fairchild Semiconductor | Fairchild Semiconductor | onsemi |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | FQI13N50 | - | - | FQI1 |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA | 5V @ 250µA | 5V @ 250µA |
| ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 500 V | 500 V | 200 V | 600 V |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | I2PAK (TO-262) | I2PAK (TO-262) | I2PAK (TO-262) | I2PAK (TO-262) |
| แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 10V | 10V | 10V | 10V |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube | Bulk | Tube | Tube |
| Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 2055 pF @ 25 V | 2055 pF @ 25 V | 1600 pF @ 25 V | 1900 pF @ 25 V |
| ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 13A (Tc) | 13A (Tc) | 19.4A (Tc) | 10.5A (Tc) |
| ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 56 nC @ 10 V | 56 nC @ 10 V | 40 nC @ 10 V | 54 nC @ 10 V |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| ชุด | QFET® | QFET® | QFET® | QFET® |
| คุณสมบัติ FET | - | - | - | - |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 480mOhm @ 6.5A, 10V | 480mOhm @ 6.5A, 10V | 150mOhm @ 9.7A, 10V | 700mOhm @ 5.3A, 10V |
| ประเภท FET | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 195W (Tc) | 195W (Tc) | 3.13W (Ta), 140W (Tc) | 3.13W (Ta), 180W (Tc) |
| Vgs (สูงสุด) | ±30V | ±30V | ±30V | ±30V |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล FQI13N50CTU PDF และเอกสาร onsemi สำหรับ FQI13N50CTU - onsemi
FQI13N50CTUFairchild SemiconductorPOWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1FQI12P20TUFairchild (onsemi)FQI19N20TUFairchild SemiconductorMOSFET N-CH 200V 19.4A I2PAKFQI12N60TUonsemiMOSFET N-CH 600V 10.5A I2PAKFQI17P06TUonsemiMOSFET P-CH 60V 17A I2PAKFQI17P06TU MOSFairchild (onsemi)FQI12N60CTUonsemiMOSFET N-CH 600V 12A I2PAKFQI11P06TUonsemiMOSFET P-CH 60V 11.4A I2PAKFQI12N60CTUFairchild SemiconductorMOSFET N-CH 600V 12A I2PAKFQI19N10LTUFSCFQI12N60TUFairchild SemiconductorMOSFET N-CH 600V 10.5A I2PAKFQI16N15TUFSCFQI10N20LTU MOSFairchild (onsemi)FQI11P06TUFairchild SemiconductorMOSFET P-CH 60V 11.4A I2PAKFQI18N25FSCFQI13N50CFairchild (onsemi)FQI17P20FSCFQI16N15TU MOSFairchild (onsemi)| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที