ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี FQP14N30
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ onsemi - FQP14N30 คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ onsemi - FQP14N30
คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
---|---|---|
ผู้ผลิต | onsemi | |
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 5V @ 250µA | |
Vgs (สูงสุด) | ±30V | |
เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | |
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-220-3 | |
ชุด | QFET® | |
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 290mOhm @ 7.2A, 10V | |
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 147W (Tc) | |
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-220-3 | |
บรรจุุภัณฑ์ | Tube |
คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
---|---|---|
อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 1360 pF @ 25 V | |
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 40 nC @ 10 V | |
ประเภท FET | N-Channel | |
คุณสมบัติ FET | - | |
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 10V | |
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 300 V | |
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 14.4A (Tc) | |
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | FQP14 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ onsemi FQP14N30
คุณสมบัติสินค้า | ||||
---|---|---|---|---|
รุ่นผลิตภัณฑ์ | FQP14N30 | FQP13N10 | FQP13N50 | FQP16N15 |
ผู้ผลิต | onsemi | onsemi | onsemi | Fairchild Semiconductor |
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 300 V | 100 V | 500 V | 150 V |
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 |
Vgs (สูงสุด) | ±30V | ±25V | ±30V | ±25V |
อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) |
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 40 nC @ 10 V | 16 nC @ 10 V | 60 nC @ 10 V | 30 nC @ 10 V |
ประเภท FET | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 1360 pF @ 25 V | 450 pF @ 25 V | 2300 pF @ 25 V | 910 pF @ 25 V |
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | FQP14 | FQP13 | FQP13 | - |
บรรจุุภัณฑ์ | Tube | Tube | Tube | Tube |
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 10V | 10V | 10V | 10V |
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 147W (Tc) | 65W (Tc) | 170W (Tc) | 108W (Tc) |
ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 290mOhm @ 7.2A, 10V | 180mOhm @ 6.4A, 10V | 430mOhm @ 6.25A, 10V | 160mOhm @ 8.2A, 10V |
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 14.4A (Tc) | 12.8A (Tc) | 12.5A (Tc) | 16.4A (Tc) |
คุณสมบัติ FET | - | - | - | - |
ชุด | QFET® | QFET® | QFET® | QFET® |
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 5V @ 250µA | 4V @ 250µA | 5V @ 250µA | 4V @ 250µA |
เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล FQP14N30 PDF และเอกสาร onsemi สำหรับ FQP14N30 - onsemi
การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
---|---|---|
ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
บราซิล | 7 | |
ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
ประเทศอังกฤษ | 4 | |
อิตาลี | 5 | |
มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
นิวซีแลนด์ | 5 | |
เอเชีย | อินเดีย | 4 |
ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
---|---|
ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที