ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี FQPF32N12V2
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ onsemi - FQPF32N12V2 คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ onsemi - FQPF32N12V2
คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
---|---|---|
ผู้ผลิต | onsemi | |
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 4V @ 250µA | |
Vgs (สูงสุด) | ±30V | |
เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | |
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-220F-3 | |
ชุด | QFET® | |
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 50mOhm @ 16A, 10V | |
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 50W (Tc) | |
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-220-3 Full Pack | |
บรรจุุภัณฑ์ | Tube |
คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
---|---|---|
อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 1860 pF @ 25 V | |
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 53 nC @ 10 V | |
ประเภท FET | N-Channel | |
คุณสมบัติ FET | - | |
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 10V | |
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 120 V | |
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 32A (Tc) | |
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | FQPF3 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ onsemi FQPF32N12V2
คุณสมบัติสินค้า | ||||
---|---|---|---|---|
รุ่นผลิตภัณฑ์ | FQPF32N12V2 | FQPF2N90 | FQPF33N10 | FQPF33N10 |
ผู้ผลิต | onsemi | Fairchild Semiconductor | Fairchild Semiconductor | onsemi |
คุณสมบัติ FET | - | - | - | - |
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 1860 pF @ 25 V | 500 pF @ 25 V | 1500 pF @ 25 V | 1500 pF @ 25 V |
ประเภท FET | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
Vgs (สูงสุด) | ±30V | ±30V | ±25V | ±25V |
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 10V | 10V | 10V | 10V |
อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) |
ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 50mOhm @ 16A, 10V | 7.2Ohm @ 700mA, 10V | 52mOhm @ 9A, 10V | 52mOhm @ 9A, 10V |
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | FQPF3 | - | - | FQPF3 |
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-220-3 Full Pack | TO-220-3 Full Pack | TO-220-3 Full Pack | TO-220-3 Full Pack |
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 50W (Tc) | 35W (Tc) | 41W (Tc) | 41W (Tc) |
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-220F-3 | TO-220F-3 | TO-220F-3 | TO-220F-3 |
เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
ชุด | QFET® | QFET® | QFET® | QFET® |
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 53 nC @ 10 V | 15 nC @ 10 V | 51 nC @ 10 V | 51 nC @ 10 V |
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 120 V | 900 V | 100 V | 100 V |
บรรจุุภัณฑ์ | Tube | Tube | Bulk | Tube |
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 4V @ 250µA | 5V @ 250µA | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA |
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 32A (Tc) | 1.4A (Tc) | 18A (Tc) | 18A (Tc) |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล FQPF32N12V2 PDF และเอกสาร onsemi สำหรับ FQPF32N12V2 - onsemi
การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
---|---|---|
ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
บราซิล | 7 | |
ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
ประเทศอังกฤษ | 4 | |
อิตาลี | 5 | |
มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
นิวซีแลนด์ | 5 | |
เอเชีย | อินเดีย | 4 |
ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
---|---|
ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที