ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี FZT649
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ onsemi - FZT649 คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ onsemi - FZT649
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | onsemi | |
| แรงดันไฟฟ้า - คอ Emitter พังทลาย (สูงสุด) | 25 V | |
| VCE อิ่มตัว (สูงสุด) @ Ib, Ic | 600mV @ 300mA, 3A | |
| ประเภททรานซิสเตอร์ | NPN | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | SOT-223-4 | |
| ชุด | - | |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์ | 2 W | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-261-4, TO-261AA |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | |
| ความถี่ - การเปลี่ยน | 150MHz | |
| DC กำไรปัจจุบัน (HFE) (ต่ำสุด) @ IC, VCE | 100 @ 1A, 2V | |
| ปัจจุบัน - นักลัด (สูงสุด) | 100nA (ICBO) | |
| ปัจจุบัน - สะสม (IC) (สูงสุด) | 3 A | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | FZT6 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ onsemi FZT649
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | FZT649 | FZT605TA | FZT649TA | FZT600BTA |
| ผู้ผลิต | onsemi | Diodes Incorporated | Diodes Incorporated | Diodes Incorporated |
| ปัจจุบัน - นักลัด (สูงสุด) | 100nA (ICBO) | 10µA | 100nA (ICBO) | 10µA |
| ปัจจุบัน - สะสม (IC) (สูงสุด) | 3 A | 1.5 A | 3 A | 2 A |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| ความถี่ - การเปลี่ยน | 150MHz | 150MHz | 240MHz | 250MHz |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | SOT-223-4 | SOT-223-3 | SOT-223-3 | SOT-223-3 |
| แรงดันไฟฟ้า - คอ Emitter พังทลาย (สูงสุด) | 25 V | 120 V | 25 V | 140 V |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | FZT6 | FZT605 | FZT649 | FZT600 |
| ชุด | - | - | - | - |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-261-4, TO-261AA | TO-261-4, TO-261AA | TO-261-4, TO-261AA | TO-261-4, TO-261AA |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์ | 2 W | 2 W | 2 W | 2 W |
| ประเภททรานซิสเตอร์ | NPN | NPN - Darlington | NPN | NPN - Darlington |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| DC กำไรปัจจุบัน (HFE) (ต่ำสุด) @ IC, VCE | 100 @ 1A, 2V | 2000 @ 1A, 5V | 100 @ 1A, 2V | 10000 @ 500mA, 10V |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| VCE อิ่มตัว (สูงสุด) @ Ib, Ic | 600mV @ 300mA, 3A | 1.5V @ 1mA, 1A | 600mV @ 300mA, 3A | 1.2V @ 10mA, 1A |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล FZT649 PDF และเอกสาร onsemi สำหรับ FZT649 - onsemi
FZT605TADiodes IncorporatedTRANS NPN DARL 120V 1.5A SOT223FZT649TADiodes IncorporatedTRANS NPN 25V 3A SOT223-3FZT601BTADiodes IncorporatedFZT651TA MOSZETEXFZT649 MOSZETEXFZT600BTADiodes IncorporatedTRANS NPN DARL 140V 2A SOT223-3FZT651TADiodes IncorporatedTRANS NPN 60V 3A SOT223-3FZT651 MOSZETEKFZT604TADiodes IncorporatedTRANS NPN DAR 100V 1500MA SOT223FZT605MSVFZT605 MOSZETEXFZT603QTADiodes IncorporatedTRANS NPN DARL 80V 2A SOT223-3FZT651QTADiodes IncorporatedTRANS NPN 60V 3A SOT223-3FZT600TADiodes IncorporatedTRANS NPN DARL 140V 2A SOT223-3FZT651Diodes IncorporatedFZT603TADiodes IncorporatedTRANS NPN DARL 80V 2A SOT223-3FZT651QTCDiodes IncorporatedPWR MID PERF TRANSISTOR SOT223 TFZT649TA-79Diodes Incorporated| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที