ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี GBPC3504W
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ onsemi - GBPC3504W คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ onsemi - GBPC3504W
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | onsemi | |
| แรงดันไฟฟ้า - ยอดย้อนกลับ (สูงสุด) | 400 V | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.1 V @ 17.5 A | |
| เทคโนโลยี | Standard | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | GBPC-W | |
| ชุด | - | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 4-Square, GBPC-W |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| บรรจุุภัณฑ์ | Tray | |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
| ประเภทไดโอด | Single Phase | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 5 µA @ 400 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 35 A | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | GBPC3504 |
| คุณลักษณะ | ลักษณะ |
|---|---|
| สถานภาพ RoHS | |
| ระดับความไวต่อความชื้น (MSL) | Not Applicable |
| เข้าถึงสถานะ | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8541.10.0080 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ onsemi GBPC3504W
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
 |
 |
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | GBPC3504W | GBPC3504W | GBPC3506 | GBPC3504W-E4/51 |
| ผู้ผลิต | onsemi | SMC Diode Solutions | Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd | Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | GBPC-W | GBPC-W | GBPC | GBPC-W |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.1 V @ 17.5 A | 1.1 V @ 17.5 A | 1.1 V @ 17.5 A | 1.1 V @ 17.5 A |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 35 A | 35 A | 35 A | 35 A |
| ประเภทไดโอด | Single Phase | Single Phase | Single Phase | Single Phase |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 5 µA @ 400 V | 5 µA @ 400 V | 10 µA @ 600 V | 5 µA @ 400 V |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tray | Tape & Box (TB) | Box | Box |
| เทคโนโลยี | Standard | Standard | Standard | Standard |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 4-Square, GBPC-W | 4-Square, GBPC-W | 4-Square, GBPC | 4-Square, GBPC-W |
| ชุด | - | - | - | - |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | GBPC3504 | GBPC3504 | - | GBPC3504 |
| แรงดันไฟฟ้า - ยอดย้อนกลับ (สูงสุด) | 400 V | 400 V | 600 V | 400 V |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | Through Hole | Chassis Mount | Through Hole |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล GBPC3504W PDF และเอกสาร onsemi สำหรับ GBPC3504W - onsemi
GBPC3504WSMC Diode SolutionsBRIDGE RECT 1P 400V 35A GBPC-WGBPC3506Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdRECT BRIDGE 600V 35A GBPCGBPC3504W-E4/51Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionBRIDGE RECT 1P 400V 35A GBPC-W
GBPC3506SMC Diode SolutionsBRIDGE RECT 1PHASE 600V 35A GBPC
GBPC3504Taiwan Semiconductor Corporation35A, 400V, STANDARD BRIDGE RECTI
GBPC3504WGeneSiC SemiconductorBRIDGE RECT 1P 400V 35A GBPC-W
GBPC3504AMICIGBT ModuleGBPC3504WDiodes IncorporatedBRIDGE RECT 1P 400V 35A GBPC-WGBPC3506Taiwan Semiconductor Corporation35A, 600V, STANDARD BRIDGE RECTI
GBPC3506onsemiBRIDGE RECT 1PHASE 600V 35A GBPC
GBPC3506-03Electro-Films (EFI) / VishayIGBT Module
GBPC3504Fairchild SemiconductorBRIDGE RECTIFIER DIODE, 1 PHASE,GBPC3504WTaiwan Semiconductor Corporation35A, 400V, STANDARD BRIDGE RECTI
GBPC3506SURGE35A -600V - GBPC - BRIDGE
GBPC3504-E4/51Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionBRIDGE RECT 1PHASE 400V 35A GBPC
GBPC3504WSURGE35A -400V - GBPC-W - BRIDGEGBPC3506-E4/51Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionBRIDGE RECT 1PHASE 600V 35A GBPCGBPC3506Diodes IncorporatedBRIDGE RECT 1PHASE 600V 35A GBPC| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? โปรด เพิ่มลงในรถเข็น เราจะติดต่อคุณทันที