ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี H11A1S
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ onsemi - H11A1S คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ onsemi - H11A1S
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | onsemi | |
| แรงดันไฟฟ้า - เอาท์พุท (สูงสุด) | 30V | |
| แรงดันไฟฟ้า - แยก | 5300Vrms | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่งต่อ (Vf) (ประเภท) | 1.18V | |
| VCE อิ่มตัว (สูงสุด) | 400mV | |
| เปิด / ปิดเครื่อง (Type) | 2µs, 2µs | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | 6-SMD | |
| ชุด | - | |
| เวลาเพิ่มขึ้น / ลดลง (ประเภท) | - | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 6-SMD, Gull Wing | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ประเภทขาออก | Transistor with Base | |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 100°C | |
| จำนวนช่อง | 1 | |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | |
| ประเภทขาเข้า | DC | |
| อัตราส่วนเงินโอน (ต่ำสุด) | 50% @ 10mA | |
| อัตราส่วนเงินโอน (สูงสุด) | - | |
| ปัจจุบัน - ออก / ช่องทาง | - | |
| กระแส - DC Forward (ถ้า) (สูงสุด) | 100 mA | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | H11A |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ onsemi H11A1S
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | H11A1S | H11A1VM | H11A2M | H11A1SM |
| ผู้ผลิต | onsemi | onsemi | onsemi | onsemi |
| อัตราส่วนเงินโอน (ต่ำสุด) | 50% @ 10mA | 50% @ 10mA | 20% @ 10mA | 50% @ 10mA |
| แรงดันไฟฟ้า - เอาท์พุท (สูงสุด) | 30V | 30V | 30V | 30V |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube | Bulk | Bulk | Tube |
| เปิด / ปิดเครื่อง (Type) | 2µs, 2µs | 2µs, 2µs | 2µs, 2µs | 2µs, 2µs |
| อัตราส่วนเงินโอน (สูงสุด) | - | - | - | - |
| ชุด | - | - | - | - |
| ประเภทขาเข้า | DC | DC | DC | DC |
| จำนวนช่อง | 1 | 1 | 1 | 1 |
| ประเภทขาออก | Transistor with Base | Transistor with Base | Transistor with Base | Transistor with Base |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | Through Hole | Surface Mount | Surface Mount |
| ปัจจุบัน - ออก / ช่องทาง | - | - | - | - |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 100°C | -40°C ~ 100°C | -40°C ~ 100°C | -40°C ~ 100°C |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | 6-SMD | 6-DIP | 6-SMD | 6-SMD |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | H11A | H11A1 | H11A | H11A1 |
| เวลาเพิ่มขึ้น / ลดลง (ประเภท) | - | - | - | - |
| แรงดันไฟฟ้า - แยก | 5300Vrms | 4170Vrms | 7500Vpk | 4170Vrms |
| กระแส - DC Forward (ถ้า) (สูงสุด) | 100 mA | 60 mA | 60 mA | 60 mA |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่งต่อ (Vf) (ประเภท) | 1.18V | 1.18V | 1.18V | 1.18V |
| VCE อิ่มตัว (สูงสุด) | 400mV | 400mV | 400mV | 400mV |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 6-SMD, Gull Wing | 6-DIP (0.300', 7.62mm) | 6-SMD, Gull Wing | 6-SMD, Gull Wing |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล H11A1S PDF และเอกสาร onsemi สำหรับ H11A1S - onsemi
H11A1VMonsemiOPTOISO 4.17KV TRANS W/BASE 6DIPH11A2MonsemiOPTOISO 7.5KV TRANS W/BASE 6SMDH11A1SMonsemiOPTOISO 4.17KV TRANS W/BASE 6SMD
H11A1MLite-On Inc.OPTOISO 5KV TRANS W/BASE 6DIP
H11A1MFairchild SemiconductorTRANSISTOR OUTPUT OPTOCOUPLER, 7H11A2MLite-On Inc.OPTOISO 5KV TRANS W/BASE 6DIP
H1190TPulse ElectronicsH11A1SR2VMonsemiOPTOISO 4.17KV TRANS W/BASE 6SMD
H11A1SLite-On Inc.OPTOISO 5KV TRANS W/BASE 6SMDH11A1VMFairchild SemiconductorTRANSISTOR OUTPUT OPTOCOUPLER, 7
H1197FNLTPulse ElectronicsPULSE XFMR 1CT:1CT TX 1CT:1CT RX
H1197NLPulse ElectronicsXFRMR MAGNT MOD 1PORT POE 10/100H11A1MEverlight Electronics Co LtdOPTOISO 5KV TRANS W/BASE 6DIP
H11A1-X009Vishay Semiconductor Opto DivisionOPTOISO 5.3KV TRANS W/BASE 6SMDH11A1SR2MonsemiOPTOISO 4.17KV TRANS W/BASE 6SMD
H11A1MonsemiOPTOISO 4.17KV TRANS W/BASE 6DIP
H1197NLTPulse ElectronicsXFRMR MAGNT MOD 1PORT POE 10/100H11A1SVMonsemiOPTOISO 4.17KV TRANS W/BASE 6SMD| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที