ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี H11A817AS
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ onsemi - H11A817AS คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ onsemi - H11A817AS
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | onsemi | |
| แรงดันไฟฟ้า - เอาท์พุท (สูงสุด) | 70V | |
| แรงดันไฟฟ้า - แยก | 5300Vrms | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่งต่อ (Vf) (ประเภท) | 1.2V | |
| VCE อิ่มตัว (สูงสุด) | 200mV | |
| เปิด / ปิดเครื่อง (Type) | - | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | 4-SMD | |
| ชุด | - | |
| เวลาเพิ่มขึ้น / ลดลง (ประเภท) | 2.4µs, 2.4µs | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 4-SMD, Gull Wing | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ประเภทขาออก | Transistor | |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 100°C | |
| จำนวนช่อง | 1 | |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | |
| ประเภทขาเข้า | DC | |
| อัตราส่วนเงินโอน (ต่ำสุด) | 80% @ 5mA | |
| อัตราส่วนเงินโอน (สูงสุด) | 160% @ 5mA | |
| ปัจจุบัน - ออก / ช่องทาง | 50mA | |
| กระแส - DC Forward (ถ้า) (สูงสุด) | 50 mA | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | H11A |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ onsemi H11A817AS
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | H11A817AS | H11A817B | H11A817A | H11A817A300 |
| ผู้ผลิต | onsemi | onsemi | onsemi | onsemi |
| VCE อิ่มตัว (สูงสุด) | 200mV | 200mV | 200mV | 200mV |
| จำนวนช่อง | 1 | 1 | 1 | 1 |
| แรงดันไฟฟ้า - แยก | 5300Vrms | 5300Vrms | 5300Vrms | 5300Vrms |
| อัตราส่วนเงินโอน (ต่ำสุด) | 80% @ 5mA | 130% @ 5mA | 80% @ 5mA | 80% @ 5mA |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube | Tube | Tube | Tube |
| ปัจจุบัน - ออก / ช่องทาง | 50mA | 50mA | 50mA | 50mA |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 4-SMD, Gull Wing | 4-DIP (0.300", 7.62mm) | 4-DIP (0.300', 7.62mm) | 4-DIP (0.300', 7.62mm) |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่งต่อ (Vf) (ประเภท) | 1.2V | 1.2V | 1.2V | 1.2V |
| แรงดันไฟฟ้า - เอาท์พุท (สูงสุด) | 70V | 70V | 70V | 70V |
| เปิด / ปิดเครื่อง (Type) | - | - | - | - |
| กระแส - DC Forward (ถ้า) (สูงสุด) | 50 mA | 50 mA | 50 mA | 50 mA |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | H11A | H11A | H11A | H11A |
| เวลาเพิ่มขึ้น / ลดลง (ประเภท) | 2.4µs, 2.4µs | 2.4µs, 2.4µs | 2.4µs, 2.4µs | 2.4µs, 2.4µs |
| ประเภทขาเข้า | DC | DC | DC | DC |
| อัตราส่วนเงินโอน (สูงสุด) | 160% @ 5mA | 260% @ 5mA | 160% @ 5mA | 160% @ 5mA |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| ชุด | - | - | - | - |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | 4-SMD | 4-DIP | 4-DIP | 4-DIP |
| ประเภทขาออก | Transistor | Transistor | Transistor | Transistor |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 100°C | -55°C ~ 100°C | -55°C ~ 100°C | -55°C ~ 100°C |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล H11A817AS PDF และเอกสาร onsemi สำหรับ H11A817AS - onsemi
H11A817BonsemiOPTOISO 5.3KV TRANSISTOR 4DIPH11A817AonsemiOPTOISO 5.3KV TRANSISTOR 4DIPH11A817A300onsemiOPTOISO 5.3KV TRANSISTOR 4DIP
H11A817B-3SDFairchild (onsemi)H11A817BSonsemiOPTOISO 5.3KV TRANSISTOR 4SMD
H11A817B3SFairchild SemiconductorTRANSISTOR OUTPUT OPTOCOUPLERH11A817300onsemiOPTOISO 5.3KV TRANSISTOR 4DIPH11A817ASFairchild SemiconductorTRANSISTOR OUTPUT OPTOCOUPLERH11A817A3SonsemiOPTOISO 5.3KV TRANSISTOR 4SMDH11A817B300onsemiOPTOISO 5.3KV TRANSISTOR 4DIPH11A817B3SonsemiOPTOISO 5.3KV TRANSISTOR 4SMD
H11A817B.3SDQTCH11A817A.3SDFairchild (onsemi)H11A817ASDonsemiOPTOISO 5.3KV TRANSISTOR 4SMDH11A8173SFairchild SemiconductorTRANSISTOR OUTPUT OPTOCOUPLERH11A817A3SDonsemiOPTOISO 5.3KV TRANSISTOR 4SMDH11A8173SonsemiOPTOISO 5.3KV TRANSISTOR 4SMDH11A817B3SDonsemiOPTOISO 5.3KV TRANSISTOR 4SMD| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที