ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี H11A817DSD
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ onsemi - H11A817DSD คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ onsemi - H11A817DSD
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | onsemi | |
| แรงดันไฟฟ้า - เอาท์พุท (สูงสุด) | 70V | |
| แรงดันไฟฟ้า - แยก | 5300Vrms | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่งต่อ (Vf) (ประเภท) | 1.2V | |
| VCE อิ่มตัว (สูงสุด) | 200mV | |
| เปิด / ปิดเครื่อง (Type) | - | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | 4-SMD | |
| ชุด | - | |
| เวลาเพิ่มขึ้น / ลดลง (ประเภท) | 2.4µs, 2.4µs | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 4-SMD, Gull Wing | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ประเภทขาออก | Transistor | |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 100°C | |
| จำนวนช่อง | 1 | |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | |
| ประเภทขาเข้า | DC | |
| อัตราส่วนเงินโอน (ต่ำสุด) | 300% @ 5mA | |
| อัตราส่วนเงินโอน (สูงสุด) | 600% @ 5mA | |
| ปัจจุบัน - ออก / ช่องทาง | 50mA | |
| กระแส - DC Forward (ถ้า) (สูงสุด) | 50 mA | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | H11A |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ onsemi H11A817DSD
| คุณสมบัติสินค้า |  |
|
|
 |
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | H11A817DSD | H11A817B3SD | H11A817S | H11A817D300 |
| ผู้ผลิต | onsemi | onsemi | onsemi | onsemi |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | 4-SMD | 4-SMD | 4-SMD | 4-DIP |
| เวลาเพิ่มขึ้น / ลดลง (ประเภท) | 2.4µs, 2.4µs | 2.4µs, 2.4µs | 2.4µs, 2.4µs | 2.4µs, 2.4µs |
| ปัจจุบัน - ออก / ช่องทาง | 50mA | 50mA | 50mA | 50mA |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tube | Tube |
| เปิด / ปิดเครื่อง (Type) | - | - | - | - |
| แรงดันไฟฟ้า - เอาท์พุท (สูงสุด) | 70V | 70V | 70V | 70V |
| ประเภทขาออก | Transistor | Transistor | Transistor | Transistor |
| จำนวนช่อง | 1 | 1 | 1 | 1 |
| VCE อิ่มตัว (สูงสุด) | 200mV | 200mV | 200mV | 200mV |
| อัตราส่วนเงินโอน (สูงสุด) | 600% @ 5mA | 260% @ 5mA | 600% @ 5mA | 600% @ 5mA |
| ชุด | - | - | - | - |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 4-SMD, Gull Wing | 4-SMD, Gull Wing | 4-SMD, Gull Wing | 4-DIP (0.300', 7.62mm) |
| ประเภทขาเข้า | DC | DC | DC | DC |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่งต่อ (Vf) (ประเภท) | 1.2V | 1.2V | 1.2V | 1.2V |
| กระแส - DC Forward (ถ้า) (สูงสุด) | 50 mA | 50 mA | 50 mA | 50 mA |
| อัตราส่วนเงินโอน (ต่ำสุด) | 300% @ 5mA | 130% @ 5mA | 50% @ 5mA | 300% @ 5mA |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | H11A | H11A | H11A | H11A |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 100°C | -55°C ~ 100°C | -55°C ~ 100°C | -55°C ~ 100°C |
| แรงดันไฟฟ้า - แยก | 5300Vrms | 5300Vrms | 5300Vrms | 5300Vrms |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Through Hole |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล H11A817DSD PDF และเอกสาร onsemi สำหรับ H11A817DSD - onsemi
H11A817B3SDonsemiOPTOISO 5.3KV TRANSISTOR 4SMDH11A817SonsemiOPTOISO 5.3KV TRANSISTOR 4SMDH11A817D300onsemiOPTOISO 5.3KV TRANSISTOR 4DIP
H11AA1Everlight Electronics Co LtdOPTOISO 5KV TRANS W/BASE 6DIPH11A817C300onsemiOPTOISO 5.3KV TRANSISTOR 4DIPH11A817SDonsemiOPTOISO 5.3KV TRANSISTOR 4SMDH11A817CSDonsemiOPTOISO 5.3KV TRANSISTOR 4SMDH11A817BSDonsemiOPTOISO 5.3KV TRANSISTOR 4SMDH11A817C3SDonsemiOPTOISO 5.3KV TRANSISTOR 4SMDH11A817BSonsemiOPTOISO 5.3KV TRANSISTOR 4SMDH11A817ConsemiOPTOISO 5.3KV TRANSISTOR 4DIP
H11AA1onsemiOPTOISO 5.3KV TRANS W/BASE 6DIP
H11A817X-5632Fairchild (onsemi)
H11A817CWonsemiOPTOISO 5.3KV TRANSISTOR 4DIP
H11AA1Quality TechnologiesOPTO.H11A817C3SonsemiOPTOISO 5.3KV TRANSISTOR 4SMD
H11AA1Vishay Semiconductor Opto DivisionOPTOISO 5.3KV TRANS W/BASE 6DIPH11A817X-5627WFairchild (onsemi)| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที