ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี H11B1M
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ onsemi - H11B1M คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ onsemi - H11B1M
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | onsemi | |
| แรงดันไฟฟ้า - เอาท์พุท (สูงสุด) | 30V | |
| แรงดันไฟฟ้า - แยก | 4170Vrms | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่งต่อ (Vf) (ประเภท) | 1.2V | |
| VCE อิ่มตัว (สูงสุด) | 1V | |
| เปิด / ปิดเครื่อง (Type) | 25µs, 18µs | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | 6-DIP | |
| ชุด | - | |
| เวลาเพิ่มขึ้น / ลดลง (ประเภท) | - | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 6-DIP (0.300', 7.62mm) | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ประเภทขาออก | Darlington with Base | |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -40°C ~ 100°C | |
| จำนวนช่อง | 1 | |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
| ประเภทขาเข้า | DC | |
| อัตราส่วนเงินโอน (ต่ำสุด) | 500% @ 1mA | |
| อัตราส่วนเงินโอน (สูงสุด) | - | |
| ปัจจุบัน - ออก / ช่องทาง | 150mA | |
| กระแส - DC Forward (ถ้า) (สูงสุด) | 80 mA | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | H11B1 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ onsemi H11B1M
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | H11B1M | H11AV2SVM | H11B1SM | H11B255 |
| ผู้ผลิต | onsemi | onsemi | onsemi | onsemi |
| VCE อิ่มตัว (สูงสุด) | 1V | 400mV | 1V | 1V |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -40°C ~ 100°C | -40°C ~ 100°C | -40°C ~ 100°C | -55°C ~ 100°C |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่งต่อ (Vf) (ประเภท) | 1.2V | 1.18V | 1.2V | 1.2V |
| ประเภทขาออก | Darlington with Base | Transistor with Base | Darlington with Base | Darlington with Base |
| แรงดันไฟฟ้า - เอาท์พุท (สูงสุด) | 30V | 70V | 30V | 55V |
| ปัจจุบัน - ออก / ช่องทาง | 150mA | - | 150mA | - |
| ประเภทขาเข้า | DC | DC | DC | DC |
| แรงดันไฟฟ้า - แยก | 4170Vrms | 7500Vpk | 4170Vrms | 5300Vrms |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | Surface Mount | Surface Mount | Through Hole |
| เปิด / ปิดเครื่อง (Type) | 25µs, 18µs | 15µs, 15µs | 25µs, 18µs | 25µs, 18µs |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 6-DIP (0.300', 7.62mm) | 6-SMD, Gull Wing | 6-SMD, Gull Wing | 6-DIP (0.300', 7.62mm) |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | H11B1 | H11A | H11B1 | H11B |
| ชุด | - | - | - | - |
| อัตราส่วนเงินโอน (สูงสุด) | - | - | - | - |
| จำนวนช่อง | 1 | 1 | 1 | 1 |
| กระแส - DC Forward (ถ้า) (สูงสุด) | 80 mA | 60 mA | 80 mA | 100 mA |
| เวลาเพิ่มขึ้น / ลดลง (ประเภท) | - | - | - | - |
| อัตราส่วนเงินโอน (ต่ำสุด) | 500% @ 1mA | 50% @ 10mA | 500% @ 1mA | 100% @ 10mA |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube | Tube | Tube | Tube |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | 6-DIP | 6-SMD | 6-SMD | 6-DIP |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล H11B1M PDF และเอกสาร onsemi สำหรับ H11B1M - onsemi
H11AV2SVMonsemiOPTOISO 7.5KV TRANS W/BASE 6SMDH11B1SMonsemiOPTOISO 4.17KV DARL W/BASE 6SMDH11B255onsemiOPTOISO 5.3KV DARL W/BASE 6DIP
H11B1-X007Vishay Semiconductor Opto DivisionOPTOISO 5.3KV DARL W/BASE 6SMDH11B1VMonsemiOPTOISO 4.17KV DARL W/BASE 6DIP
H11B255Everlight Electronics Co LtdOPTOISO 5KV DARL W/BASE 6DIP
H11B1VMFairchild SemiconductorDARLINGTON OUTPUT OPTOCOUPLER, 7
H11AXKQTCH11B1-X009TVishay Semiconductor Opto DivisionOPTOISO 5.3KV DARL W/BASE 6SMDH11B13SDonsemiOPTOISO 5.3KV DARL W/BASE 6SMDH11AV2VMonsemiOPTOISO 7.5KV TRANS W/BASE 6DIP
H11AVA1Fairchild (onsemi)H11B1S-040LFFairchild (onsemi)H11B1SR2MonsemiOPTOISO 4.17KV DARL W/BASE 6SMD
H11B1SMIsocom Components 2004 LTDOPTOISO 5.3KV DARL W/BASE 6SMDH11AXM-5164FSC
H11B1MEverlight Electronics Co LtdOPTOISO 5KV DARL W/BASE 6DIPH11AV3AMOTOROLA| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที