ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี H11F1SD
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ onsemi - H11F1SD คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ onsemi - H11F1SD
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | onsemi | |
| แรงดันไฟฟ้า - เอาท์พุท (สูงสุด) | 30V | |
| แรงดันไฟฟ้า - แยก | 5300Vrms | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่งต่อ (Vf) (ประเภท) | 1.3V | |
| VCE อิ่มตัว (สูงสุด) | - | |
| เปิด / ปิดเครื่อง (Type) | 25µs, 25µs (Max) | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | 6-SMD | |
| ชุด | - | |
| เวลาเพิ่มขึ้น / ลดลง (ประเภท) | - | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 6-SMD, Gull Wing | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ประเภทขาออก | MOSFET | |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 100°C | |
| จำนวนช่อง | 1 | |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | |
| ประเภทขาเข้า | DC | |
| อัตราส่วนเงินโอน (ต่ำสุด) | - | |
| อัตราส่วนเงินโอน (สูงสุด) | - | |
| ปัจจุบัน - ออก / ช่องทาง | - | |
| กระแส - DC Forward (ถ้า) (สูงสุด) | 60 mA | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | H11F |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ onsemi H11F1SD
| คุณสมบัติสินค้า |  |
|
|
 |
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | H11F1SD | H11F2SD | H11D4SD | H11F3M |
| ผู้ผลิต | onsemi | onsemi | onsemi | onsemi |
| ประเภทขาเข้า | DC | DC | DC | DC |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 100°C | -55°C ~ 100°C | -55°C ~ 100°C | -40°C ~ 100°C |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | 6-SMD | 6-SMD | 6-SMD | 6-DIP |
| เปิด / ปิดเครื่อง (Type) | 25µs, 25µs (Max) | 25µs, 25µs (Max) | 5µs, 5µs | 45µs, 45µs (Max) |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่งต่อ (Vf) (ประเภท) | 1.3V | 1.3V | 1.15V | 1.3V |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Through Hole |
| ปัจจุบัน - ออก / ช่องทาง | - | - | 100mA | - |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 6-SMD, Gull Wing | 6-SMD, Gull Wing | 6-SMD, Gull Wing | 6-DIP (0.300", 7.62mm) |
| อัตราส่วนเงินโอน (สูงสุด) | - | - | - | - |
| VCE อิ่มตัว (สูงสุด) | - | - | 400mV | - |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tube |
| จำนวนช่อง | 1 | 1 | 1 | 1 |
| แรงดันไฟฟ้า - แยก | 5300Vrms | 5300Vrms | 5300Vrms | 7500Vpk |
| ประเภทขาออก | MOSFET | MOSFET | Transistor with Base | MOSFET |
| กระแส - DC Forward (ถ้า) (สูงสุด) | 60 mA | 60 mA | 80 mA | 60 mA |
| อัตราส่วนเงินโอน (ต่ำสุด) | - | - | 10% @ 10mA | - |
| แรงดันไฟฟ้า - เอาท์พุท (สูงสุด) | 30V | 30V | 200V | 15V |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | H11F | H11F | H11D | H11F3 |
| ชุด | - | - | - | - |
| เวลาเพิ่มขึ้น / ลดลง (ประเภท) | - | - | - | - |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล H11F1SD PDF และเอกสาร onsemi สำหรับ H11F1SD - onsemi
H11F2SDonsemiOPTOISOLTR 5.3KV PHOTO FET 6-SMD
H11D4.3SDAMI Semiconductor/onsemiH11D4SDonsemiOPTOISO 5.3KV TRANS W/BASE 6SMDH11F3MonsemiOPTOISOLTR 7.5KV PHOTO FET 6-DIPH11F1VMonsemiOPTOISOLTR 7.5KV PHOTO FET 6-DIPH11F3SonsemiOPTOISOLTR 5.3KV PHOTO FET 6-SMDH11D4.3SAMI Semiconductor/onsemiH11D4.300WAMI Semiconductor/onsemiH11F1SR2MonsemiOPTOISOLTR 7.5KV PHOTO FET 6-SMDH11D4.SAMI Semiconductor/onsemiH11F2SR2MAMI Semiconductor/onsemiH11F1SMonsemiOPTOISOLTR 7.5KV PHOTO FET 6-SMDH11F3SDonsemiOPTOISOLTR 5.3KV PHOTO FET 6-SMDH11F1SonsemiOPTOISOLTR 5.3KV PHOTO FET 6-SMD
H11F1MFairchild SemiconductorOPTO.H11D4.SDAMI Semiconductor/onsemiH11F1MonsemiOPTOISOLTR 7.5KV PHOTO FET 6-DIPH11F2MonsemiOPTOISOLTR 7.5KV PHOTO FET 6-DIP| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที