ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี HN1B01FDW1T1G
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ onsemi - HN1B01FDW1T1G คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ onsemi - HN1B01FDW1T1G
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | onsemi | |
| แรงดันไฟฟ้า - คอ Emitter พังทลาย (สูงสุด) | 50V | |
| VCE อิ่มตัว (สูงสุด) @ Ib, Ic | 250mV @ 10mA, 100mA / 300mV @ 10mA, 100mA | |
| ประเภททรานซิสเตอร์ | NPN, PNP | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | SC-74 | |
| ชุด | - | |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์ | 380mW | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | SC-74, SOT-457 |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | |
| ความถี่ - การเปลี่ยน | - | |
| DC กำไรปัจจุบัน (HFE) (ต่ำสุด) @ IC, VCE | 200 @ 2mA, 6V | |
| ปัจจุบัน - นักลัด (สูงสุด) | 2µA | |
| ปัจจุบัน - สะสม (IC) (สูงสุด) | 200mA | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | HN1B01 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ onsemi HN1B01FDW1T1G
| คุณสมบัติสินค้า |  |
|
 |
 |
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | HN1B01FDW1T1G | HN1B01FDW1T1 | HN1B01FDW1T1G | HN1B01FU |
| ผู้ผลิต | onsemi | onsemi | Fairchild Semiconductor | TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Stora |
| แรงดันไฟฟ้า - คอ Emitter พังทลาย (สูงสุด) | 50V | 50V | 50V | - |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | SC-74 | SC-74 | SC-74 | - |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | SC-74, SOT-457 | SC-74, SOT-457 | SC-74, SOT-457 | - |
| VCE อิ่มตัว (สูงสุด) @ Ib, Ic | 250mV @ 10mA, 100mA / 300mV @ 10mA, 100mA | 250mV @ 10mA, 100mA / 300mV @ 10mA, 100mA | 250mV @ 10mA, 100mA / 300mV @ 10mA, 100mA | - |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | HN1B01 | HN1B01 | HN1B01 | - |
| ชุด | - | - | - | - |
| ประเภททรานซิสเตอร์ | NPN, PNP | NPN, PNP | NPN, PNP | - |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Bulk | - |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | - |
| DC กำไรปัจจุบัน (HFE) (ต่ำสุด) @ IC, VCE | 200 @ 2mA, 6V | 200 @ 2mA, 6V | 200 @ 2mA, 6V | - |
| ปัจจุบัน - สะสม (IC) (สูงสุด) | 200mA | 200mA | 200mA | - |
| ปัจจุบัน - นักลัด (สูงสุด) | 2µA | 2µA | 2µA | - |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์ | 380mW | 380mW | 380mW | - |
| ความถี่ - การเปลี่ยน | - | - | - | - |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล HN1B01FDW1T1G PDF และเอกสาร onsemi สำหรับ HN1B01FDW1T1G - onsemi
HN1B01FUTAEC Product (Toshiba Electronic Devices and StoraHN1B01F-Y(TE85LF)TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Stora
HN1B01FDW1AMI Semiconductor/onsemiHN1B01FU-GR(L,F,T)TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and StoraHN1B01FU T5RSNTAEC Product (Toshiba Electronic Devices and StoraHN1B01FDW1T1onsemiTRANS NPN/PNP 50V 0.2A SC74HN1B01FU(T5RSNF)TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and StoraHN1B01FU-GRTAEC Product (Toshiba Electronic Devices and StoraHN1B01FU(1AG)TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Stora
HN1B01F-GR(T5LT)TOSHN1B01FDW1T1GFairchild SemiconductorSMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR,HN1B01F-GR(TE85L)TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and StoraHN1B01F-YTAEC Product (Toshiba Electronic Devices and StoraHN1B01FU T5RSN,F,TTAEC Product (Toshiba Electronic Devices and StoraHN1B01F-GR TE85LTAEC Product (Toshiba Electronic Devices and StoraHN1B01FU-GR(L)TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and StoraHN1B01F-GR(T5L,T)TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and StoraHN1B01FU(T5RSN)TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Stora| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที