ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี HUF76639P3
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ onsemi - HUF76639P3 คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ onsemi - HUF76639P3
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | onsemi | |
| VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 3V @ 250µA | |
| เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-220-3 | |
| ชุด | UltraFET™ | |
| RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 26mOhm @ 51A, 10V | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-220-3 | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
| Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 2400 pF @ 25 V | |
| ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 86 nC @ 10 V | |
| ประเภท FET | N-Channel | |
| คุณสมบัติ FET | - | |
| ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 100 V | |
| ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 51A (Tc) | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | HUF76 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ onsemi HUF76639P3
| คุณสมบัติสินค้า |  |
|
 |
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | HUF76639P3 | HUF76633P3 | HUF76639S3ST | HUF76639S3S |
| ผู้ผลิต | onsemi | onsemi | Fairchild Semiconductor | Fairchild Semiconductor |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube | Tube | Bulk | Tube |
| ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 100 V | 100 V | 100 V | 100 V |
| ชุด | UltraFET™ | UltraFET™ | UltraFET™ | UltraFET™ |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | Through Hole | Surface Mount | Surface Mount |
| VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 3V @ 250µA | 3V @ 250µA | 3V @ 250µA | 3V @ 250µA |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-220-3 | TO-220-3 | D2PAK (TO-263) | D2PAK (TO-263) |
| เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| คุณสมบัติ FET | - | - | - | - |
| ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 86 nC @ 10 V | 67 nC @ 10 V | 86 nC @ 10 V | 86 nC @ 10 V |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | HUF76 | HUF76 | - | - |
| Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 2400 pF @ 25 V | 1820 pF @ 25 V | 2400 pF @ 25 V | 2400 pF @ 25 V |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| ประเภท FET | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 26mOhm @ 51A, 10V | 35mOhm @ 39A, 10V | 26mOhm @ 51A, 10V | 26mOhm @ 51A, 10V |
| ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 51A (Tc) | 39A (Tc) | 51A (Tc) | 51A (Tc) |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล HUF76639P3 PDF และเอกสาร onsemi สำหรับ HUF76639P3 - onsemi
HUF76633P3onsemiMOSFET N-CH 100V 39A TO220-3HUF76639S3STFairchild SemiconductorPOWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 5HUF76639S3SFairchild SemiconductorMOSFET N-CH 100V 51A D2PAK
HUF76639S3STonsemiMOSFET N-CH 100V 51A D2PAKHUF76633S3SFairchild SemiconductorMOSFET N-CH 100V 39A D2PAKHUF76645P3onsemiMOSFET N-CH 100V 75A TO220-3HUF76633S3STFairchild SemiconductorMOSFET N-CH 100V 39A D2PAKHUF76629D3STFairchild SemiconductorN-CHANNEL LOGIC LEVEL ULTRAFET P
HUF76629D3STonsemiMOSFET N-CH 100V 20A TO252AAHUF76645S3SFairchild SemiconductorMOSFET N-CH 100V 75A D2PAKHUF76629D3S MOSFairchild (onsemi)HUF76645SFairchild (onsemi)HUF76645P3Fairchild SemiconductorMOSFET N-CH 100V 75A TO220-3HUF76639S3STRFairchild (onsemi)HUF76629D3SonsemiMOSFET N-CH 100V 20A TO252AAHUF76639S3SonsemiMOSFET N-CH 100V 51A D2PAKHUF76633S3SonsemiMOSFET N-CH 100V 39A D2PAKHUF76633S3STonsemiMOSFET N-CH 100V 39A D2PAK| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที