ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี IMD10AMT1G
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ onsemi - IMD10AMT1G คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ onsemi - IMD10AMT1G
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | onsemi | |
| แรงดันไฟฟ้า - คอ Emitter พังทลาย (สูงสุด) | 50V | |
| VCE อิ่มตัว (สูงสุด) @ Ib, Ic | 300mV @ 1mA, 10mA | |
| ประเภททรานซิสเตอร์ | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | SC-74R | |
| ชุด | - | |
| ตัวต้านทาน - ฐาน emitter (R2) | 10kOhms | |
| ตัวต้านทาน - ฐาน (R1) | 13kOhms, 130Ohms | |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์ | 285mW |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | SC-74, SOT-457 | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | |
| ความถี่ - การเปลี่ยน | - | |
| DC กำไรปัจจุบัน (HFE) (ต่ำสุด) @ IC, VCE | 100 @ 1mA, 5V / 68 @ 100mA, 5V | |
| ปัจจุบัน - นักลัด (สูงสุด) | 500nA | |
| ปัจจุบัน - สะสม (IC) (สูงสุด) | 500mA | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | IMD10 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ onsemi IMD10AMT1G
| คุณสมบัติสินค้า |  |
|
|
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | IMD10AMT1G | IMD2AT108 | IMD14T108 | IMD1AT108 |
| ผู้ผลิต | onsemi | Rohm Semiconductor | Rohm Semiconductor | Rohm Semiconductor |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | SC-74, SOT-457 | SC-74, SOT-457 | SC-74, SOT-457 | SC-74, SOT-457 |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | SC-74R | SMT6 | SMT6 | SMT6 |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| ปัจจุบัน - นักลัด (สูงสุด) | 500nA | 500nA | 500nA | - |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| VCE อิ่มตัว (สูงสุด) @ Ib, Ic | 300mV @ 1mA, 10mA | 300mV @ 500µA, 10mA | 300mV @ 5mA, 100mA | 300mV @ 500µA, 5mA |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์ | 285mW | 300mW | 300mW | 300mW |
| DC กำไรปัจจุบัน (HFE) (ต่ำสุด) @ IC, VCE | 100 @ 1mA, 5V / 68 @ 100mA, 5V | 56 @ 5mA, 5V | 82 @ 100mA, 5V | 100 @ 1mA, 5V |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | IMD10 | IMD2 | IMD14 | IMD1 |
| ตัวต้านทาน - ฐาน (R1) | 13kOhms, 130Ohms | 22kOhms | 220Ohms | 22kOhms |
| ปัจจุบัน - สะสม (IC) (สูงสุด) | 500mA | 100mA | 500mA | 100mA |
| แรงดันไฟฟ้า - คอ Emitter พังทลาย (สูงสุด) | 50V | 50V | 50V | 50V |
| ชุด | - | - | - | - |
| ความถี่ - การเปลี่ยน | - | 250MHz | 250MHz | 250MHz |
| ตัวต้านทาน - ฐาน emitter (R2) | 10kOhms | 22kOhms | 10kOhms | - |
| ประเภททรานซิสเตอร์ | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล IMD10AMT1G PDF และเอกสาร onsemi สำหรับ IMD10AMT1G - onsemi
IMD16ALAPIS TechnologyIMD10A T108LAPIS TechnologyIMD10A-T108LAPIS TechnologyIMD2AT108Rohm SemiconductorTRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SMT6IMD14T108Rohm SemiconductorTRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SMT6IMD1AT108Rohm SemiconductorTRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SMT6IMD10ALAPIS TechnologyIMD2A T108LAPIS TechnologyIMD2A GZ T,108LAPIS TechnologyIMD3A T108LAPIS TechnologyIMD23 T108LAPIS TechnologyIMD2 T108LAPIS TechnologyIMD16AT108Rohm SemiconductorTRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SMT6IMD1A T108LAPIS TechnologyIMD10AT108Rohm SemiconductorTRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SMT6IMD16A T108LAPIS TechnologyIMD3AT108Rohm SemiconductorTRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SMT6IMD16AT208LAPIS Technology| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที