ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี IRF730
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ onsemi - IRF730 คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ onsemi - IRF730
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | onsemi | |
| VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 4V @ 250µA | |
| Vgs (สูงสุด) | ±20V | |
| เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-220AB | |
| ชุด | - | |
| RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 1Ohm @ 3.3A, 10V | |
| พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 74W (Tc) | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-220-3 | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
| Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 700 pF @ 25 V | |
| ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 38 nC @ 10 V | |
| ประเภท FET | N-Channel | |
| คุณสมบัติ FET | - | |
| แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 10V | |
| ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 400 V | |
| ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 5.5A (Tc) |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ onsemi IRF730
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
|
 |
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | IRF730 | IRF730 | IRF730 | IRF7241PBF |
| ผู้ผลิต | onsemi | STMicroelectronics | NTE Electronics, Inc | International Rectifier |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube | Tube | Bag | Bulk |
| Vgs (สูงสุด) | ±20V | ±20V | ±20V | ±20V |
| ประเภท FET | N-Channel | N-Channel | N-Channel | P-Channel |
| ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 5.5A (Tc) | 5.5A (Tc) | 5.5A (Tc) | 6.2A (Ta) |
| เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA | 3V @ 250µA |
| คุณสมบัติ FET | - | - | - | - |
| พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 74W (Tc) | 100W (Tc) | 74W (Tc) | 2.5W (Ta) |
| ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 38 nC @ 10 V | 24 nC @ 10 V | 38 nC @ 10 V | 80 nC @ 10 V |
| แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 10V | 10V | 10V | 4.5V, 10V |
| ชุด | - | PowerMESH™ II | - | HEXFET® |
| RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 1Ohm @ 3.3A, 10V | 1Ohm @ 3A, 10V | 1Ohm @ 3.3A, 10V | 41mOhm @ 6.2A, 10V |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Surface Mount |
| ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 400 V | 400 V | 400 V | 40 V |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-220AB | TO-220 | TO-220 | 8-SO |
| Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 700 pF @ 25 V | 530 pF @ 25 V | 700 pF @ 25 V | 3220 pF @ 25 V |
IRF730STMicroelectronicsMOSFET N-CH 400V 5.5A TO220ABIRF7301TRPBF MOSIRIRF7301TRIRIRF7241TR MOSIRIRF730NTE Electronics, IncMOSFET N-CH 400V 5.5A TO220IRF7303IR
IRF7303PBFInfineon TechnologiesMOSFET 2N-CH 30V 4.9A 8-SOICIRF7303TRPBFInfineon TechnologiesMOSFET 2N-CH 30V 4.9A 8-SOICIRF7241PBFInternational RectifierHEXFET POWER MOSFETIRF7301PBFInfineon TechnologiesMOSFET 2N-CH 20V 5.2A 8-SOICIRF730Harris CorporationN-CHANNEL, MOSFETIRF7303TRIRIRF7241TRInfineon TechnologiesMOSFET P-CH 40V 6.2A 8SOIRF7241TRPBFInfineon TechnologiesMOSFET P-CH 40V 6.2A 8SOIRF7241TRPBF MOSIRIRF7301TRPBFInfineon TechnologiesMOSFET 2N-CH 20V 5.2A 8-SOICIRF7301IR
IRF730Vishay SiliconixMOSFET N-CH 400V 5.5A TO220AB| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? โปรด เพิ่มลงในรถเข็น เราจะติดต่อคุณทันที