ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี IRLM210ATF
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ onsemi - IRLM210ATF คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ onsemi - IRLM210ATF
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | onsemi | |
| VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 2V @ 250µA | |
| Vgs (สูงสุด) | ±20V | |
| เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | SOT-223-4 | |
| ชุด | - | |
| RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 1.5Ohm @ 390mA, 5V | |
| พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 1.8W (Tc) | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-261-4, TO-261AA | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | |
| Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 240 pF @ 25 V | |
| ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 9 nC @ 5 V | |
| ประเภท FET | N-Channel | |
| คุณสมบัติ FET | - | |
| แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 5V | |
| ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 200 V | |
| ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 770mA (Ta) | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | IRLM21 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ onsemi IRLM210ATF
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
 |
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | IRLM210ATF | IRLM110ATF | IRLM220ATF | IRLM110ATF |
| ผู้ผลิต | onsemi | Fairchild Semiconductor | onsemi | onsemi |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-261-4, TO-261AA | TO-261-4, TO-261AA | TO-261-4, TO-261AA | TO-261-4, TO-261AA |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | IRLM21 | - | IRLM220 | IRLM11 |
| คุณสมบัติ FET | - | - | - | - |
| RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 1.5Ohm @ 390mA, 5V | 440mOhm @ 750mA, 5V | 800mOhm @ 570mA, 5V | 440mOhm @ 750mA, 5V |
| ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 770mA (Ta) | 1.5A (Tc) | 1.13A (Ta) | 1.5A (Tc) |
| ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 9 nC @ 5 V | 8 nC @ 5 V | 15 nC @ 5 V | 8 nC @ 5 V |
| ประเภท FET | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | Bulk | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 1.8W (Tc) | 2.2W (Tc) | 2W (Tc) | 2.2W (Tc) |
| ชุด | - | - | - | - |
| แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 5V | 5V | 5V | 5V |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 200 V | 100 V | 200 V | 100 V |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | SOT-223-4 | SOT-223-4 | SOT-223-4 | SOT-223-4 |
| Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 240 pF @ 25 V | 235 pF @ 25 V | 430 pF @ 25 V | 235 pF @ 25 V |
| Vgs (สูงสุด) | ±20V | ±20V | ±20V | ±20V |
| VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 2V @ 250µA | 2V @ 250µA | - | 2V @ 250µA |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล IRLM210ATF PDF และเอกสาร onsemi สำหรับ IRLM210ATF - onsemi
IRLM210AFairchild (onsemi)IRLM210ATF MOSFairchild (onsemi)IRLM120ATF MOSFairchild (onsemi)IRLM110ATFFairchild SemiconductorMOSFET N-CH 100V 1.5A SOT223-4IRLM120AFairchild (onsemi)IRLM220AFairchild (onsemi)
IRLL6702TRPBFIRIRLM220ATFonsemiMOSFET N-CH 200V 1.13A SOT223-4IRLM5103TRPBFIRIRLL6403TRPBFIRIRLM110A MOSFairchild (onsemi)IRLM220A MOSFairchild (onsemi)IRLM2803TRPBFIRIRLM2402TRPBFIRIRLM2502TRPBFIRIRLM110ATFonsemiMOSFET N-CH 100V 1.5A SOT223-4IRLM220ATF MOSFairchild (onsemi)IRLM110AFairchild (onsemi)| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที