ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี ISL9K460P3
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ onsemi - ISL9K460P3 คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ onsemi - ISL9K460P3
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | onsemi | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 2.4 V @ 4 A | |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 600 V | |
| เทคโนโลยี | Standard | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-220-3 | |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | |
| ชุด | Stealth™ | |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 22 ns |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-220-3 | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube | |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -55°C ~ 175°C | |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
| การกำหนดค่าไดโอด | 1 Pair Common Cathode | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 100 µA @ 600 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) (ต่อ Diode) | 4A | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | ISL9K460 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ onsemi ISL9K460P3
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
|
 |
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | ISL9K460P3 | ISL9K860P3 | ISL9K3060G3 | ISL9K1560G3 |
| ผู้ผลิต | onsemi | Fairchild Semiconductor | Fairchild Semiconductor | onsemi |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | ISL9K460 | - | - | ISL9K1560 |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -55°C ~ 175°C | -55°C ~ 175°C | -55°C ~ 175°C | -55°C ~ 175°C |
| เทคโนโลยี | Standard | Standard | Standard | Standard |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-247-3 | TO-247-3 |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-247 | TO-247-3 |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube | Tube | Bulk | Tube |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 2.4 V @ 4 A | 2.4 V @ 8 A | 2.4 V @ 30 A | 2.2 V @ 15 A |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 100 µA @ 600 V | 100 µA @ 600 V | 100 µA @ 600 V | 100 µA @ 600 V |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 600 V | 600 V | 600 V | 600 V |
| การกำหนดค่าไดโอด | 1 Pair Common Cathode | 1 Pair Common Cathode | 1 Pair Common Cathode | 1 Pair Common Cathode |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) (ต่อ Diode) | 4A | 8A | 30A | 15A |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 22 ns | 30 ns | 45 ns | 40 ns |
| ชุด | Stealth™ | Stealth™ | Stealth™ | Stealth™ |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล ISL9K460P3 PDF และเอกสาร onsemi สำหรับ ISL9K460P3 - onsemi
ISL9K860P3Fairchild SemiconductorRECTIFIER DIODEISL9N303AS3STFairchild SemiconductorMOSFET N-CH 30V 75A D2PAK
ISL9N303AS3STonsemiMOSFET N-CH 30V 75A D2PAKISL9N302AS3STFairchild SemiconductorMOSFET N-CH 30V 75A D2PAKISL9N2357D3ST MOSFairchild (onsemi)
ISL99390FRZ-TRenesas Electronics America IncSMART POWER STAGE GEN2 (SPS) MODISL9K3060G3Fairchild SemiconductorRECTIFIER DIODE, AVALANCHE, 1 PHISL9K1560G3onsemiDIODE ARRAY GP 600V 15A TO247ISL9N038AD3STFairchild (onsemi)ISL9K3060G3-K3060G3Fairchild (onsemi)
ISL9LPRS480AKLFTICSISL9K18120G3onsemiDIODE ARRAY GP 1200V 18A TO247ISL99390FRZ-TR5935Renesas Electronics America IncSMART POWER STAGE GEN2 (SPS) MODISL9K860P3onsemiDIODE ARRAY GP 600V 8A TO220ISL9N303AP3onsemiMOSFET N-CH 30V 75A TO220-3ISL9K3060G3onsemiDIODE ARRAY GP 600V 30A TO247ISL9K460P3Fairchild SemiconductorRECTIFIER DIODE, AVALANCHE, 1 PHISL9N302AS3STonsemiMOSFET N-CH 30V 75A D2PAK| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที