ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี ISL9R18120G2
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ onsemi - ISL9R18120G2 คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ onsemi - ISL9R18120G2
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | onsemi | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 3.3 V @ 18 A | |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 1200 V | |
| เทคโนโลยี | Standard | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-247-2 | |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | |
| ชุด | Stealth™ | |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 70 ns |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-247-2 | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube | |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -55°C ~ 150°C | |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 100 µA @ 1200 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 18A | |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | ISL9R18120 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ onsemi ISL9R18120G2
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
 |
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | ISL9R18120G2 | ISL9R1560S3ST | ISL9R1560P2 | ISL9R18120G2 |
| ผู้ผลิต | onsemi | onsemi | Fairchild Semiconductor | Fairchild Semiconductor |
| เทคโนโลยี | Standard | Standard | Standard | Standard |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 1200 V | 600 V | 600 V | 1200 V |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 100 µA @ 1200 V | 100 µA @ 600 V | 100 µA @ 600 V | 100 µA @ 1200 V |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-247-2 | D²PAK (TO-263) | TO-220-2 | TO-247-2 |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-247-2 | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | TO-220-2 | TO-247-2 |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 70 ns | 40 ns | 40 ns | 70 ns |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 3.3 V @ 18 A | 2.2 V @ 15 A | 2.2 V @ 15 A | 3.3 V @ 18 A |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - | - | - | - |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 18A | 15A | 15A | 18A |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -55°C ~ 150°C | -55°C ~ 175°C | -55°C ~ 175°C | -55°C ~ 150°C |
| ชุด | Stealth™ | Stealth™ | Stealth™ | Stealth™ |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | Surface Mount | Through Hole | Through Hole |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | ISL9R18120 | ISL9R1560 | - | - |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube | Tape & Reel (TR) | Bulk | Bulk |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล ISL9R18120G2 PDF และเอกสาร onsemi สำหรับ ISL9R18120G2 - onsemi
ISL9R1560S3STonsemiDIODE GEN PURP 600V 15A D2PAKISL9R1560P2Fairchild SemiconductorRECTIFIER DIODE, AVALANCHE, 15A,ISL9R18120G2Fairchild SemiconductorDIODE GEN PURP 1.2V 18A TO247-2
ISL9R1560P2onsemiDIODE GEN PURP 600V 15A TO220-2ISL9R3060G2onsemiDIODE GEN PURP 600V 30A TO247-2ISL9R30120G2onsemiDIODE GEN PURP 1.2KV 30A TO247-2ISL9R18120S3STonsemiDIODE GEN PURP 1.2KV 18A D2PAKISL9R1560PF2onsemiDIODE GEN PURP 600V 15A TO220FISL9R1560G2Fairchild SemiconductorRECTIFIER DIODE, AVALANCHE, 15A,ISL9R1560S2Fairchild SemiconductorDIODE AVALANCHE 600V 15A I2PAKISL9R18120P2onsemiDIODE GEN PURP 1.2KV 18A TO220-2ISL9R30120G2Fairchild SemiconductorRECTIFIER DIODE, 30A, 1200V, TO-ISL9R1560PF2Fairchild SemiconductorDIODE GEN PURP 600V 15A TO220FISL9R1560S3SFairchild (onsemi)ISL9R1560G2onsemiDIODE GEN PURP 600V 15A TO247-2ISL9R3060G2-F085onsemiDIODE GEN PURP 600V 30A TO247-2ISL9R18120S3SFairchildISL9R2480G2FSC| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? [AddToCartTip]未找到翻译