ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี ISL9V2540S3S
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ onsemi - ISL9V2540S3S คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ onsemi - ISL9V2540S3S
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | onsemi | |
| แรงดันไฟฟ้า - คอ Emitter พังทลาย (สูงสุด) | 430 V | |
| VCE (ON) (สูงสุด) @ VGE ไอซี | 1.8V @ 4V, 6A | |
| ทดสอบสภาพ | 300V, 1kOhm, 5V | |
| Td (เปิด / ปิด) ที่ 25 ° C | -/3.64µs | |
| การสลับพลังงาน | - | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | D²PAK (TO-263) | |
| ชุด | EcoSPARK® | |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์ | 166.7 W |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube | |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -40°C ~ 175°C (TJ) | |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | |
| ประเภทขาเข้า | Logic | |
| ประเภท IGBT | - | |
| ค่าใช้จ่ายประตู | 15.1 nC | |
| ปัจจุบัน - สะสม (IC) (สูงสุด) | 15.5 A | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | ISL9 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ onsemi ISL9V2540S3S
| คุณสมบัติสินค้า |  |
|
 |
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | ISL9V2540S3S | ISL9V2540S3ST | ISL9V2040P3 | ISL9V3040D3ST |
| ผู้ผลิต | onsemi | onsemi | Fairchild Semiconductor | Fairchild Semiconductor |
| ค่าใช้จ่ายประตู | 15.1 nC | 15.1 nC | 12 nC | - |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์ | 166.7 W | 166.7 W | 130 W | - |
| ชุด | EcoSPARK® | EcoSPARK® | EcoSPARK® | * |
| ประเภท IGBT | - | - | - | - |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube | Tape & Reel (TR) | Tube | Bulk |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | ISL9 | ISL9V2540 | - | - |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | Surface Mount | Through Hole | - |
| ทดสอบสภาพ | 300V, 1kOhm, 5V | 300V, 1kOhm, 5V | 300V, 1kOhm, 5V | - |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -40°C ~ 175°C (TJ) | -40°C ~ 175°C (TJ) | -40°C ~ 175°C (TJ) | - |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | TO-220-3 | - |
| VCE (ON) (สูงสุด) @ VGE ไอซี | 1.8V @ 4V, 6A | 1.8V @ 4V, 6A | 1.9V @ 4V, 6A | - |
| Td (เปิด / ปิด) ที่ 25 ° C | -/3.64µs | -/3.64µs | -/3.64µs | - |
| ประเภทขาเข้า | Logic | Logic | Logic | - |
| ปัจจุบัน - สะสม (IC) (สูงสุด) | 15.5 A | 15.5 A | 10 A | - |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | D²PAK (TO-263) | D²PAK (TO-263) | TO-220-3 | - |
| การสลับพลังงาน | - | - | - | - |
| แรงดันไฟฟ้า - คอ Emitter พังทลาย (สูงสุด) | 430 V | 430 V | 430 V | - |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล ISL9V2540S3S PDF และเอกสาร onsemi สำหรับ ISL9V2540S3S - onsemi
ISL9R860S3STonsemiDIODE GEN PURP 600V 8A D2PAKISL9V2540S3STonsemiIGBT 430V 15.5A TO263ABISL9V2040P3Fairchild SemiconductorN-CHANNEL IGBTISL9V3040D3STFairchild SemiconductorINSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
ISL9V3040D3SonsemiIGBT 430V 21A 150W TO252AAISL9V2040S3SFairchild SemiconductorN-CHANNEL IGBT
ISL9V2040P3onsemiIGBT 430V 10A 130W TO220ABISL9V2040D3STonsemiIGBT 430V 10A TO252AAISL9V2540S3STFairchild SemiconductorINSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOISL9V3036S3STFairchild SemiconductorIGBT, 360V, 17A, 1.58V, 300MJ, DISL9V3040D3STonsemiIGBT 430V 21A TO252AAISL9V2040S3SonsemiIGBT 430V 10A 130W TO263ABISL9V3036S3SonsemiIGBT 360V 21A 150W TO263ABISL9V2040D3STFairchild SemiconductorINSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
ISL9R860PF2onsemiDIODE GEN PURP 600V 8A TO220F-2LISL9V3036S3STonsemiIGBT 360V 21A TO263AB
ISL9V3040D3ST-F085ConsemiECOSPARK1 IGN-IGBT TO252ISL9V3040P3onsemiIGBT 430V 21A TO220-3| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที