ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี J111RLRAG
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ onsemi - J111RLRAG คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ onsemi - J111RLRAG
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | onsemi | |
| แรงดันไฟฟ้า - ลัด (VGS ออก) @ Id | 3 V @ 1 µA | |
| แรงดันไฟฟ้า - พังทลาย (V (BR) GSS) | 35 V | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-92 (TO-226) | |
| ชุด | - | |
| ต้านทาน - RDS (on) | 30 Ohms | |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์ | 350 mW | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads) |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -65°C ~ 150°C (TJ) | |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
| Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | - | |
| ประเภท FET | N-Channel | |
| ปัจจุบัน - ท่อระบายน้ำ (Idss) @ Vds (Vgs = 0) | 20 mA @ 15 V | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | J111 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ onsemi J111RLRAG
| คุณสมบัติสินค้า |  |
|
|
 |
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | J111RLRAG | J112-D74Z | J110RLRA | MMBFJ175 |
| ผู้ผลิต | onsemi | onsemi | onsemi | onsemi |
| ต้านทาน - RDS (on) | 30 Ohms | 50 Ohms | 18 Ohms | 125 Ohms |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads) | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads | TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads) | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| ประเภท FET | N-Channel | N-Channel | N-Channel | P-Channel |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | Cut Tape (CT) | Bulk | Tape & Reel (TR) |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | J111 | J112 | J110 | MMBFJ1 |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Surface Mount |
| ชุด | - | - | - | - |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -65°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | 135°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์ | 350 mW | 625 mW | 310 mW | 225 mW |
| Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | - | - | - | - |
| ปัจจุบัน - ท่อระบายน้ำ (Idss) @ Vds (Vgs = 0) | 20 mA @ 15 V | 5 mA @ 15 V | 10 mA @ 15 V | 7 mA @ 15 V |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-92 (TO-226) | TO-92-3 | TO-92 (TO-226) | SOT-23-3 |
| แรงดันไฟฟ้า - พังทลาย (V (BR) GSS) | 35 V | 35 V | 25 V | 30 V |
| แรงดันไฟฟ้า - ลัด (VGS ออก) @ Id | 3 V @ 1 µA | 1 V @ 1 µA | 500 mV @ 1 µA | 3 V @ 10 nA |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล J111RLRAG PDF และเอกสาร onsemi สำหรับ J111RLRAG - onsemi
J112-D74ZonsemiJFET N-CH 35V TO92-3
J1108BFBG-DJ-FELPIDAJ1108BDBG-DJ-FELPIDA
J112G/MJD112T4GAMI Semiconductor/onsemiJ1116DJBGELPIDAJ110RLRAonsemiTRANS GP JFET N-CH 25V TO-92MMBFJ175onsemiJFET P-CH 30V SOT23-3J111-D74ZonsemiJFET N-CH 35V TO92-3
J112-TR1Silicon PowerJ1188031MOTOROLAIGBT ModuleJ1116DBSE-DJ-FELPIDA
J11013ADI (Analog Devices, Inc.)
J113 MOSElectro-Films (EFI) / Vishay
J111 MOSFairchild (onsemi)J116C-5L(M28776/6-001L)TELEDYNEJ1116DJBG-DJ-FELPIDAJ11.3300.10STAUBLIJ11.3300.01STAUBLI| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที