ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี JANTXV2N2907A
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ onsemi - JANTXV2N2907A คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ onsemi - JANTXV2N2907A
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | onsemi | |
| แรงดันไฟฟ้า - คอ Emitter พังทลาย (สูงสุด) | 60 V | |
| VCE อิ่มตัว (สูงสุด) @ Ib, Ic | 1.6V @ 50mA, 500mA | |
| ประเภททรานซิสเตอร์ | PNP | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-18 | |
| ชุด | Military, MIL-PRF-19500/291 | |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์ | 500 mW | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-206AA, TO-18-3 Metal Can |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -65°C ~ 200°C (TJ) | |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
| ความถี่ - การเปลี่ยน | - | |
| DC กำไรปัจจุบัน (HFE) (ต่ำสุด) @ IC, VCE | 100 @ 150mA, 10V | |
| ปัจจุบัน - นักลัด (สูงสุด) | 50nA | |
| ปัจจุบัน - สะสม (IC) (สูงสุด) | 600 mA | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | 2N2907 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ onsemi JANTXV2N2907A
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | JANTXV2N2907A | JANTXV2N3997 | JANTXV2N2222AUB | JANTXV2N3700UB |
| ผู้ผลิต | onsemi | Microchip Technology | Microchip Technology | Microchip Technology |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | Bulk | Bulk | Bulk |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -65°C ~ 200°C (TJ) | -65°C ~ 200°C (TJ) | -65°C ~ 200°C (TJ) | -65°C ~ 200°C (TJ) |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | 2N2907 | - | 2N2222 | 2N3700 |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | Stud Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์ | 500 mW | 2 W | 500 mW | 500 mW |
| ปัจจุบัน - นักลัด (สูงสุด) | 50nA | 10µA | 50nA | 10nA |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-18 | TO-111 | UB | 3-UB (2.9x2.2) |
| ความถี่ - การเปลี่ยน | - | - | - | - |
| แรงดันไฟฟ้า - คอ Emitter พังทลาย (สูงสุด) | 60 V | 80 V | 50 V | 80 V |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-206AA, TO-18-3 Metal Can | TO-111-4, Stud | 3-SMD, No Lead | 3-SMD, No Lead |
| ประเภททรานซิสเตอร์ | PNP | NPN | NPN | NPN |
| ชุด | Military, MIL-PRF-19500/291 | Military, MIL-PRF-19500/374 | Military, MIL-PRF-19500/255 | Military, MIL-PRF-19500/391 |
| ปัจจุบัน - สะสม (IC) (สูงสุด) | 600 mA | 10 A | 800 mA | 1 A |
| VCE อิ่มตัว (สูงสุด) @ Ib, Ic | 1.6V @ 50mA, 500mA | 2V @ 500mA, 5A | 1V @ 50mA, 500mA | 500mV @ 50mA, 500mA |
| DC กำไรปัจจุบัน (HFE) (ต่ำสุด) @ IC, VCE | 100 @ 150mA, 10V | 80 @ 1A, 2V | 100 @ 150mA, 10V | 50 @ 500mA, 10V |
JANTXV2N3997Microchip TechnologyTRANS NPN 80V 10A TO111JANTXV1N7039CCT1Microchip TechnologyDIODE SCHOTTKY 150V 35A TO254JANTXV2N2222AUBMicrochip TechnologyTRANS NPN 50V 0.8A UBJANTXV2N3700UBMicrochip TechnologyTRANS NPN 80V 1A 3UB
JANTXV2N3439Microchip TechnologyTRANS NPN 350V 1A TO39JANTXV2N3866AMICJANTXV2N3810Microchip TechnologyTRANS 2PNP 60V 0.05A TO78JANTXV2N2905Microchip TechnologyTRANS PNP 60V 1UA TO39
JANTXV2N2484Microchip TechnologyTRANS NPN 60V 0.05A TO18JANTXV2N2905AMicrochip TechnologyTRANS PNP 60V 0.6A TO39JANTXV1N829-1Microchip TechnologyDIODE ZENER 6.2V 500MW DO35JANTXV1N914Microchip TechnologyDIODE GEN PURP 75V 200MA DO35JANTXV1N6642USMicrochip TechnologyDIODE GEN PURP 100V 300MA D-5BJANTXV2N3996Microchip TechnologyTRANS NPN 80V 10UA TO111JANTXV2N2222AMicrochip TechnologyTRANS NPN 50V 0.8A TO18JANTXV2N2907AMicrochip TechnologyTRANS PNP 60V 0.6A TO18JANTXV2N2907AUBMicrochip TechnologyTRANS PNP 60V 0.6A UBJANTXV2N3501UBMicrochip TechnologyTRANS NPN 150V 0.3A UB| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที