ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี KSD2012GTU
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ onsemi - KSD2012GTU คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ onsemi - KSD2012GTU
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | onsemi | |
| แรงดันไฟฟ้า - คอ Emitter พังทลาย (สูงสุด) | 60 V | |
| VCE อิ่มตัว (สูงสุด) @ Ib, Ic | 1V @ 200mA, 2A | |
| ประเภททรานซิสเตอร์ | NPN | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-220F-3 | |
| ชุด | - | |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์ | 25 W | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-220-3 Full Pack |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube | |
| อุณหภูมิในการทำงาน | 150°C (TJ) | |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
| ความถี่ - การเปลี่ยน | 3MHz | |
| DC กำไรปัจจุบัน (HFE) (ต่ำสุด) @ IC, VCE | 150 @ 500mA, 5V | |
| ปัจจุบัน - นักลัด (สูงสุด) | 100µA (ICBO) | |
| ปัจจุบัน - สะสม (IC) (สูงสุด) | 3 A | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | KSD2012 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ onsemi KSD2012GTU
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
 |
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | KSD2012GTU | KSD1621UTF | KSD1691GS | KSD1691GSTU |
| ผู้ผลิต | onsemi | Fairchild Semiconductor | onsemi | onsemi |
| ปัจจุบัน - นักลัด (สูงสุด) | 100µA (ICBO) | 100nA (ICBO) | 10µA (ICBO) | 10µA (ICBO) |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์ | 25 W | 500 mW | 1.3 W | 1.3 W |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube | Bulk | Bulk | Tube |
| ความถี่ - การเปลี่ยน | 3MHz | 150MHz | - | - |
| VCE อิ่มตัว (สูงสุด) @ Ib, Ic | 1V @ 200mA, 2A | 400mV @ 75mA, 1.5A | 300mV @ 200mA, 2A | 300mV @ 200mA, 2A |
| ปัจจุบัน - สะสม (IC) (สูงสุด) | 3 A | 2 A | 5 A | 5 A |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-220F-3 | SOT-89-3 | TO-126-3 | TO-126-3 |
| ชุด | - | - | - | - |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | Surface Mount | Through Hole | Through Hole |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-220-3 Full Pack | TO-243AA | TO-225AA, TO-126-3 | TO-225AA, TO-126-3 |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | KSD2012 | - | KSD1691 | KSD1691 |
| ประเภททรานซิสเตอร์ | NPN | NPN | NPN | NPN |
| อุณหภูมิในการทำงาน | 150°C (TJ) | 150°C (TJ) | 150°C (TJ) | 150°C (TJ) |
| แรงดันไฟฟ้า - คอ Emitter พังทลาย (สูงสุด) | 60 V | 25 V | 60 V | 60 V |
| DC กำไรปัจจุบัน (HFE) (ต่ำสุด) @ IC, VCE | 150 @ 500mA, 5V | 280 @ 100mA, 2V | 200 @ 2A, 1V | 200 @ 2A, 1V |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล KSD2012GTU PDF และเอกสาร onsemi สำหรับ KSD2012GTU - onsemi
KSD1691CJKSD203ACCOSMOIGBT ModuleKSD1621UTFFairchild SemiconductorTRANS NPN 25V 2A SOT89-3KSD1691GSonsemiTRANS NPN 60V 5A TO126-3KSD215AC3COSMOIGBT ModuleKSD226KECKSD1691GSTUonsemiTRANS NPN 60V 5A TO126-3KSD2058YTUonsemiTRANS NPN 60V 3A TO220F-3KSD193-RTKKECKSD1691YSonsemiTRANS NPN 60V 5A TO126-3
KSD1621UTFonsemiTRANS NPN 25V 2A SOT89-3KSD227-GTAFairchild (onsemi)KSD225AC3COSMOIGBT ModuleKSD1691YSTUonsemiTRANS NPN 60V 5A TO126-3KSD2012GTUFairchild SemiconductorTRANS NPN 60V 3A TO220F-3KSD210AC3COSMOIGBT ModuleKSD2012-GKECKSD1691-YKEC| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที