ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี MBR10100G
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ onsemi - MBR10100G คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ onsemi - MBR10100G
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | onsemi | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 800 mV @ 10 A | |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 100 V | |
| เทคโนโลยี | Schottky | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-220-2 | |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | |
| ชุด | SWITCHMODE™ | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-220-2 |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube | |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -65°C ~ 175°C | |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 100 µA @ 100 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 10A | |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | MBR1010 |
| คุณลักษณะ | ลักษณะ |
|---|---|
| สถานภาพ RoHS | |
| ระดับความไวต่อความชื้น (MSL) | Not Applicable |
| เข้าถึงสถานะ | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ onsemi MBR10100G
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
 |
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | MBR10100G | MBR10150 | MBR10100MFS | MBR10150CL-TA3-T |
| ผู้ผลิต | onsemi | Taiwan Semiconductor Corporation | AMI Semiconductor/onsemi | UTC |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 800 mV @ 10 A | 1.05 V @ 10 A | - | - |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-220-2 | TO-220AC | - | - |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube | Tube | - | - |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | Through Hole | - | - |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | - | - |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | MBR1010 | MBR1015 | - | - |
| ชุด | SWITCHMODE™ | - | - | - |
| เทคโนโลยี | Schottky | Schottky | - | - |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 100 µA @ 100 V | 100 µA @ 150 V | - | - |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - | - | - | - |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -65°C ~ 175°C | -55°C ~ 150°C | - | - |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-220-2 | TO-220-2 | - | - |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 100 V | 150 V | - | - |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 10A | 10A | - | - |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล MBR10100G PDF และเอกสาร onsemi สำหรับ MBR10100G - onsemi
MBR10100MFSAMI Semiconductor/onsemiMBR10150CL-TA3-TUTCMBR10100GCTPYMBR10100FMHCHXM
MBR10100CTPDiodes IncorporatedDIODE ARRAY SCHOTTKY 100V ITO220MBR10100DSJINGDAOMBR10150Taiwan Semiconductor CorporationDIODE SCHOTTKY 150V 10A TO220ACMBR10100ULPS-THWILLASMBR10100FCT_T0_00001-PECPANJITMBR10100CTWMHCHXM LTMBR10150CJMOSPECMBR10100DC-R2-10001PANJITMBR10150CLUTCMBR10100FCT_T0_00101-PECPANJITMBR10100F3CYSTECH
MBR10100FCTYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdSCHOTTKY DIODE 100V 10A ITO-220AMBR10100_T0_00001-PECPANJITMBR10150CSLX| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? โปรด เพิ่มลงในรถเข็น เราจะติดต่อคุณทันที