ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี MBR1020VL
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ onsemi - MBR1020VL คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ onsemi - MBR1020VL
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | onsemi | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 340 mV @ 1 A | |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 20 V | |
| เทคโนโลยี | Schottky | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | SOD-123F | |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | |
| ชุด | - | |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 12.4 ns |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | SOD-123F | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -55°C ~ 125°C | |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 600 µA @ 20 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 1A | |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | MBR1020 |
| คุณลักษณะ | ลักษณะ |
|---|---|
| สถานภาพ RoHS | |
| ระดับความไวต่อความชื้น (MSL) | 1 (Unlimited) |
| เข้าถึงสถานะ | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ onsemi MBR1020VL
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
 |
 |
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | MBR1020VL | MBR1035G | MBR1035 | MBR1035 |
| ผู้ผลิต | onsemi | onsemi | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | SMC Diode Solutions |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 1A | 10A | 10A | 10A |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| ชุด | - | SWITCHMODE™ | - | - |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | Tube | Tube | Tube |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 12.4 ns | - | - | - |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 340 mV @ 1 A | 840 mV @ 20 A | 570 mV @ 10 A | 840 mV @ 10 A |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | SOD-123F | TO-220-2 | TO-220-2 | TO-220-2 |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | SOD-123F | TO-220-2 | TO-220AC | TO-220AC |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - | - | - | 750pF @ 5V, 1MHz |
| เทคโนโลยี | Schottky | Schottky | Schottky | Schottky |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 20 V | 35 V | 35 V | 35 V |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 600 µA @ 20 V | 100 µA @ 35 V | 100 µA @ 35 V | 100 µA @ 35 V |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | MBR1020 | MBR103 | MBR103 | MBR103 |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -55°C ~ 125°C | -65°C ~ 175°C | -65°C ~ 150°C | -55°C ~ 150°C |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล MBR1020VL PDF และเอกสาร onsemi สำหรับ MBR1020VL - onsemi
MBR1035CTLAMI Semiconductor/onsemiMBR1035GonsemiDIODE SCHOTTKY 35V 10A TO220-2MBR1035Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE SCHOTTKY 35V 10A TO220ACMBR1035SMC Diode SolutionsDIODE SCHOTTKY 35V 10A TO220ACMBR10200FCT_F_T0_10001PANJITMBR1020LLPANJITMBR10200FMHCHXM
MBR10200FCTYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdSCHOTTKY DIODE 200V 10A ITO-220A
MBR1040Diodes IncorporatedDIODE SCHOTTKY 40V 10A TO220ACMBR1035onsemiDIODE SCHOTTKY 35V 10A TO220-2MBR10300FCTEDAMBR10200GAMI Semiconductor/onsemiMBR10200PHNMBR1035Diodes IncorporatedDIODE SCHOTTKY 35V 10A TO220ACMBR10200FCT_T0_00001-PECPANJIT
MBR1020LL_R1_00001Panjit International Inc.DIODE SCHOTTKY 20V 1A SOD123FL
MBR1035Solid State Inc.DIODE SCHOTTKY 35V 10A DO220MBR10200FCT_T0_00101-PECPANJIT| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? โปรด เพิ่มลงในรถเข็น เราจะติดต่อคุณทันที