ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี MBR2035CT
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ onsemi - MBR2035CT คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ onsemi - MBR2035CT
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | onsemi | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 840 mV @ 20 A | |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 35 V | |
| เทคโนโลยี | Schottky | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-220-3 | |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | |
| ชุด | - | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-220-3 |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube | |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -65°C ~ 150°C | |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
| การกำหนดค่าไดโอด | 1 Pair Common Cathode | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 100 µA @ 35 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) (ต่อ Diode) | 20A | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | MBR2035 |
| คุณลักษณะ | ลักษณะ |
|---|---|
| สถานภาพ RoHS | |
| ระดับความไวต่อความชื้น (MSL) | Not Applicable |
| เข้าถึงสถานะ | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ onsemi MBR2035CT
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
 |
 |
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | MBR2035CT | MBR2035CT | MBR2030CTLG | MBR2035CT |
| ผู้ผลิต | onsemi | Solid State Inc. | onsemi | Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 100 µA @ 35 V | - | 5 mA @ 30 V | 100 µA @ 35 V |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 35 V | 35 V | 30 V | 35 V |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-220-3 | TO-220 | TO-220 | TO-220-3 |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -65°C ~ 150°C | - | -65°C ~ 175°C | -65°C ~ 150°C |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| ชุด | - | - | SWITCHMODE™ | - |
| การกำหนดค่าไดโอด | 1 Pair Common Cathode | 2 Independent | 1 Pair Common Cathode | 1 Pair Common Cathode |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) (ต่อ Diode) | 20A | 20A | 10A | 10A |
| เทคโนโลยี | Schottky | Schottky | Schottky | Schottky |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | MBR2035 | - | MBR2030 | MBR20 |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube | Bulk | Tube | Tube |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 840 mV @ 20 A | - | 520 mV @ 10 A | 840 mV @ 20 A |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล MBR2035CT PDF และเอกสาร onsemi สำหรับ MBR2035CT - onsemi
MBR2045BMFSAMI Semiconductor/onsemiMBR2040FCTYen SunMBR2035CTPBFIRMBR2045CTOBAMBR2035CTSolid State Inc.20 AMP SCHOTTKY T0220AB
MBR2045Micro Commercial Components (MCC)MBR20200STFMHCHXMMBR2030CTLGonsemiDIODE ARRAY SCHOTTKY 30V TO220ABMBR2035CTVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE ARRAY SCHOTTKY 35V TO220ABMBR2045CLSTSMBR2045CTDiodes IncorporatedDIODE ARRAY SCHOTTKY 45V TO220ABMBR2020CTMBR2040CTDiodes IncorporatedDIODE ARRAY SCHOTTKY 40V TO220AB
MBR2035CTSMC Diode SolutionsDIODE SCHOTTKY 35V TO220ABMBR2030CTDiodes IncorporatedDIODE ARRAY SCHOTTKY 30V TO220AB
MBR2045CTTaiwan Semiconductor CorporationDIODE SCHOTTKY 45V 20A TO220AB
MBR2025CTElectro-Films (EFI) / VishayMBR2035CTDiodes IncorporatedDIODE ARRAY SCHOTTKY 35V TO220AB| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? โปรด เพิ่มลงในรถเข็น เราจะติดต่อคุณทันที