ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี MBR30H30CTG
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ onsemi - MBR30H30CTG คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ onsemi - MBR30H30CTG
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | onsemi | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 480 mV @ 15 A | |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 30 V | |
| เทคโนโลยี | Schottky | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-220 | |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | |
| ชุด | SWITCHMODE™ | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-220-3 |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube | |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -55°C ~ 150°C | |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
| การกำหนดค่าไดโอด | 1 Pair Common Cathode | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 800 µA @ 30 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) (ต่อ Diode) | 15A | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | MBR30H30 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ onsemi MBR30H30CTG
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
 |
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | MBR30H30CTG | MBR30H100CT-E3/45 | MBR30H100CTF-E1 | MBR30H45CT-E3/45 |
| ผู้ผลิต | onsemi | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Diodes Incorporated | Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 800 µA @ 30 V | 5 µA @ 100 V | 4.5 µA @ 100 V | 80 µA @ 45 V |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | MBR30H30 | MBR30 | - | MBR30 |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -55°C ~ 150°C | -65°C ~ 175°C | -65°C ~ 175°C | -65°C ~ 175°C |
| ชุด | SWITCHMODE™ | - | - | - |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-220 | TO-220-3 | TO-220F-3 | TO-220-3 |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 480 mV @ 15 A | 820 mV @ 15 A | 800 mV @ 15 A | 620 mV @ 15 A |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) (ต่อ Diode) | 15A | 15A | 15A | 15A |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 Full Pack | TO-220-3 |
| เทคโนโลยี | Schottky | Schottky | Schottky | Schottky |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube | Tube | Tube | Tube |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 30 V | 100 V | 100 V | 45 V |
| การกำหนดค่าไดโอด | 1 Pair Common Cathode | 1 Pair Common Cathode | 1 Pair Common Cathode | 1 Pair Common Cathode |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล MBR30H30CTG PDF และเอกสาร onsemi สำหรับ MBR30H30CTG - onsemi
MBR30H100CT-E3/45Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE ARRAY SCHOTTKY 100V TO220
MBR30H150CTPANJITMBR30H100CTF-E1Diodes IncorporatedDIODE ARRAY SCHOTTKY 100V TO220F
MBR30H100MFST1GonsemiDIODE SCHOTTKY 100V 30A 5DFNMBR30H45CT-E3/45Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE ARRAY SCHOTTKY 45V TO220ABMBR30H60GAMI Semiconductor/onsemiMBR30H45PTMBR30H30GAMI Semiconductor/onsemiMBR30H60CTDiodes IncorporatedMBR30H45CTHE3/45Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE ARRAY SCHOTTKY 45V TO220ABMBR30H100CTGonsemiDIODE ARRAY SCHOTTKY 100V TO220
MBR30H45CTElectro-Films (EFI) / Vishay
MBR30H100CT-G1Diodes IncorporatedDIODE ARRAY SCHOTTKY 100V TO220MBR30H150CTGonsemiDIODE ARRAY SCHOTTKY 150V TO220MBR30H60CTGonsemiDIODE ARRAY SCHOTTKY 60V TO220ABMBR30H150CT-E3/45Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE ARRAY SCHOTTKY 150V TO220MBR30H150FCTMBR30H60CT-E3/45Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE ARRAY SCHOTTKY 60V TO220AB| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที