ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี MBR30H30CTG
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ onsemi - MBR30H30CTG คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ onsemi - MBR30H30CTG
คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
---|---|---|
ผู้ผลิต | onsemi | |
แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 480 mV @ 15 A | |
แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 30 V | |
เทคโนโลยี | Schottky | |
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-220 | |
ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | |
ชุด | SWITCHMODE™ | |
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-220-3 |
คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
---|---|---|
บรรจุุภัณฑ์ | Tube | |
อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -55°C ~ 150°C | |
ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
การกำหนดค่าไดโอด | 1 Pair Common Cathode | |
ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 800 µA @ 30 V | |
ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) (ต่อ Diode) | 15A | |
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | MBR30H30 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ onsemi MBR30H30CTG
คุณสมบัติสินค้า | ||||
---|---|---|---|---|
รุ่นผลิตภัณฑ์ | MBR30H30CTG | MBR30H150CTG | MBR30H60CT-E3/45 | MBR30H45CT-E3/45 |
ผู้ผลิต | onsemi | onsemi | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 800 µA @ 30 V | 60 µA @ 150 V | 60 µA @ 60 V | 80 µA @ 45 V |
ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | MBR30H30 | MBR30H150 | MBR30 | MBR30 |
อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -55°C ~ 150°C | -20°C ~ 150°C | -65°C ~ 175°C | -65°C ~ 175°C |
ชุด | SWITCHMODE™ | SWITCHMODE™ | - | - |
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-220 | TO-220 | TO-220-3 | TO-220-3 |
แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 480 mV @ 15 A | 1.11 V @ 15 A | 680 mV @ 15 A | 620 mV @ 15 A |
ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) (ต่อ Diode) | 15A | 15A | 15A | 15A |
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 |
เทคโนโลยี | Schottky | Schottky | Schottky | Schottky |
บรรจุุภัณฑ์ | Tube | Tube | Tube | Tube |
ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 30 V | 150 V | 60 V | 45 V |
การกำหนดค่าไดโอด | 1 Pair Common Cathode | 1 Pair Common Cathode | 1 Pair Common Cathode | 1 Pair Common Cathode |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล MBR30H30CTG PDF และเอกสาร onsemi สำหรับ MBR30H30CTG - onsemi
การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
---|---|---|
ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
บราซิล | 7 | |
ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
ประเทศอังกฤษ | 4 | |
อิตาลี | 5 | |
มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
นิวซีแลนด์ | 5 | |
เอเชีย | อินเดีย | 4 |
ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
---|---|
ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที