ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี MBR735
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ onsemi - MBR735 คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ onsemi - MBR735
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | onsemi | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 840 mV @ 15 A | |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 35 V | |
| เทคโนโลยี | Schottky | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-220-2 | |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | |
| ชุด | SWITCHMODE™ | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-220-2 |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube | |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -65°C ~ 175°C | |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 100 µA @ 35 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 7.5A | |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | MBR735 |
| คุณลักษณะ | ลักษณะ |
|---|---|
| สถานภาพ RoHS | RoHS ไม่เป็นไปตามข้อกำหนด |
| ระดับความไวต่อความชื้น (MSL) | 1 (Unlimited) |
| เข้าถึงสถานะ | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ onsemi MBR735
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
|
 |
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | MBR735 | MBR745 | MBR735-E3/45 | MBR735G |
| ผู้ผลิต | onsemi | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | onsemi |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-220-2 | TO-220AC | TO-220AC | TO-220-2 |
| เทคโนโลยี | Schottky | Schottky | Schottky | Schottky |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-220-2 | TO-220-2 | TO-220-2 | TO-220-2 |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 35 V | 45 V | 35 V | 35 V |
| ชุด | SWITCHMODE™ | - | - | SWITCHMODE™ |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - | - | - | - |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | MBR735 | MBR7 | MBR7 | MBR735 |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube | Tube | Tube | Tube |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 100 µA @ 35 V | 100 µA @ 45 V | 100 µA @ 35 V | 100 µA @ 35 V |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -65°C ~ 175°C | -65°C ~ 150°C | -65°C ~ 175°C | -65°C ~ 175°C |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 840 mV @ 15 A | 840 mV @ 15 A | 840 mV @ 15 A | 840 mV @ 15 A |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 7.5A | 7.5A | 7.5A | 7.5A |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล MBR735 PDF และเอกสาร onsemi สำหรับ MBR735 - onsemi
MBR7035MOTOROLAIGBT ModuleMBR745Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE SCHOTTKY 45V 7.5A TO220ACMBR7030WTGonsemiDIODE ARRAY SCHOTTKY 30V TO247MBR735-E3/45Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE SCHOTTKY 35V 7.5A TO220ACMBR7080MOTOROLAIGBT ModuleMBR7040MOTOROLAIGBT ModuleMBR735GonsemiDIODE SCHOTTKY 35V 7.5A TO220-2MBR735Solid State Inc.DIODE SCHOTTKY 35V 7.5A DO220
MBR735Diodes IncorporatedDIODE SCHOTTKY 35V 7.5A TO220ACMBR7045MOTOROLAIGBT Module
MBR735SMC Diode SolutionsDIODE SCHOTTKY 35V 7.5A TO220ACMBR7030MOTOROLAIGBT ModuleMBR6580MOTOROLAIGBT ModuleMBR735Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE SCHOTTKY 35V 7.5A TO220ACMBR6545MOTOROLAIGBT Module
MBR735Fairchild SemiconductorDIODE SCHOTTKY 35V 7.5A TO220-2MBR745Diodes IncorporatedDIODE SCHOTTKY 45V 7.5A TO220AC
MBR7100Taiwan Semiconductor| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? โปรด เพิ่มลงในรถเข็น เราจะติดต่อคุณทันที