ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี MBRA210ET3G
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ onsemi - MBRA210ET3G คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ onsemi - MBRA210ET3G
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | onsemi | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 500 mV @ 2 A | |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 10 V | |
| เทคโนโลยี | Schottky | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | SMA | |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | |
| ชุด | - | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-214AC, SMA |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -65°C ~ 150°C | |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 50 µA @ 10 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 2A | |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | MBRA210 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ onsemi MBRA210ET3G
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | MBRA210ET3G | MBRA140TR | MBRA160T3 | MBRA160T3G |
| ผู้ผลิต | onsemi | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | onsemi | onsemi |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 500 mV @ 2 A | 550 mV @ 1 A | 510 mV @ 1 A | 510 mV @ 1 A |
| เทคโนโลยี | Schottky | Schottky | Schottky | Schottky |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-214AC, SMA | DO-214AC, SMA | DO-214AC, SMA | DO-214AC, SMA |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | SMA | DO-214AC (SMA) | SMA | SMA |
| ชุด | - | - | - | - |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 10 V | 40 V | 60 V | 60 V |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - | - | - | - |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 2A | 1A | 1A | 1A |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -65°C ~ 150°C | -55°C ~ 150°C | - | -55°C ~ 150°C |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | MBRA210 | MBRA1 | MBRA160 | MBRA160 |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 50 µA @ 10 V | 500 µA @ 40 V | 200 µA @ 60 V | 200 µA @ 60 V |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล MBRA210ET3G PDF และเอกสาร onsemi สำหรับ MBRA210ET3G - onsemi
MBRA150LT3GAMI Semiconductor/onsemiMBRA140TRVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE SCHOTTKY 40V 1A DO214ACMBRA160T3onsemiDIODE SCHOTTKY 60V 1A SMAMBRA160T3GonsemiDIODE SCHOTTKY 60V 1A SMAMBRA140T3GonsemiDIODE SCHOTTKY 40V 1A SMAMBRA140T3onsemiDIODE SCHOTTKY 40V 1A SMAMBRA210LT3GonsemiDIODE SCHOTTKY 10V 2A SMAMBRA210LT3onsemiDIODE SCHOTTKY 10V 2A SMAMBRA1H100T3GonsemiDIODE SCHOTTKY 100V 1A SMAMBRA240T1GAMI Semiconductor/onsemi
MBRA3045NTUonsemiDIODE ARRAY SCHOTTKY 45V TO3PMBRA210T3GAMI Semiconductor/onsemiMBRA180LT3GAMI Semiconductor/onsemi
MBRA140TRPBFElectro-Films (EFI) / VishayMBRA220T3GAMI Semiconductor/onsemiMBRA2H100AMI Semiconductor/onsemi
MBRA3045NTUFairchild SemiconductorRECTIFIER DIODEMBRA2H100T3GonsemiDIODE SCHOTTKY 100V 2A SMA| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที