ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี MBRA210ET3G
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ onsemi - MBRA210ET3G คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ onsemi - MBRA210ET3G
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | onsemi | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 500 mV @ 2 A | |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 10 V | |
| เทคโนโลยี | Schottky | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | SMA | |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | |
| ชุด | - | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-214AC, SMA |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -65°C ~ 150°C | |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 50 µA @ 10 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 2A | |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | MBRA210 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ onsemi MBRA210ET3G
| คุณสมบัติสินค้า |  |
|
 |
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | MBRA210ET3G | MBRA140T3 | MBRA140TR | MBRA160T3 |
| ผู้ผลิต | onsemi | onsemi | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | onsemi |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 500 mV @ 2 A | 550 mV @ 1 A | 550 mV @ 1 A | 510 mV @ 1 A |
| เทคโนโลยี | Schottky | Schottky | Schottky | Schottky |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-214AC, SMA | DO-214AC, SMA | DO-214AC, SMA | DO-214AC, SMA |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | SMA | SMA | DO-214AC (SMA) | SMA |
| ชุด | - | - | - | - |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 10 V | 40 V | 40 V | 60 V |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - | - | - | - |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 2A | 1A | 1A | 1A |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -65°C ~ 150°C | - | -55°C ~ 150°C | - |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | MBRA210 | MBRA140 | MBRA1 | MBRA160 |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 50 µA @ 10 V | 500 µA @ 40 V | 500 µA @ 40 V | 200 µA @ 60 V |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล MBRA210ET3G PDF และเอกสาร onsemi สำหรับ MBRA210ET3G - onsemi
MBRA140T3onsemiDIODE SCHOTTKY 40V 1A SMA
MBRA180LT3GAMI Semiconductor/onsemiMBRA140TRVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE SCHOTTKY 40V 1A DO214ACMBRA160T3onsemiDIODE SCHOTTKY 60V 1A SMAMBRA210LT3GonsemiDIODE SCHOTTKY 10V 2A SMA
MBRA3045NTUonsemiDIODE ARRAY SCHOTTKY 45V TO3PMBRA150LT3GAMI Semiconductor/onsemiMBRA210LT3onsemiDIODE SCHOTTKY 10V 2A SMAMBRA140LT3GAMI Semiconductor/onsemiMBRA160T3GonsemiDIODE SCHOTTKY 60V 1A SMAMBRA2H100T3GonsemiDIODE SCHOTTKY 100V 2A SMAMBRA220T3GAMI Semiconductor/onsemiMBRA1H100T3GonsemiDIODE SCHOTTKY 100V 1A SMAMBRA210T3GAMI Semiconductor/onsemi
MBRA3045NTUFairchild SemiconductorRECTIFIER DIODE
MBRA140TRPBFElectro-Films (EFI) / VishayMBRA320T3GonsemiDIODE SCHOTTKY 20V 3A SMAMBRA140T3GonsemiDIODE SCHOTTKY 40V 1A SMA| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที