ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี MC33153DR2G
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ onsemi - MC33153DR2G คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ onsemi - MC33153DR2G
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | onsemi | |
| แรงดันไฟฟ้า - อุปทาน | 11V ~ 20V | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | 8-SOIC | |
| ชุด | - | |
| เวลาเพิ่มขึ้น / ลดลง (ประเภท) | 17ns, 17ns | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 8-SOIC (0.154', 3.90mm Width) | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -40°C ~ 150°C (TJ) | |
| ความถี่ขาเข้า | 1 |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | |
| แรงดันลอจิก - VIL, VIH | 1.2V, 3.2V | |
| ประเภทขาเข้า | Inverting | |
| ประเภทประตู | IGBT, N-Channel MOSFET | |
| การกำหนดค่าแบบขับเคลื่อน | Low-Side | |
| ปัจจุบัน - Peak Output (แหล่งที่มา, Sink) | 1A, 2A | |
| Base-Emitter อิ่มตัวแรงดัน (สูงสุด) | Single | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | MC33153 |
| คุณลักษณะ | ลักษณะ |
|---|---|
| สถานภาพ RoHS | |
| ระดับความไวต่อความชื้น (MSL) | 1 (Unlimited) |
| เข้าถึงสถานะ | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8542.39.0001 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ onsemi MC33153DR2G
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
|
 |
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | MC33153DR2G | MC33153P | MC33153DR2 | MC33153PG |
| ผู้ผลิต | onsemi | onsemi | onsemi | onsemi |
| เวลาเพิ่มขึ้น / ลดลง (ประเภท) | 17ns, 17ns | 17ns, 17ns | 17ns, 17ns | 17ns, 17ns |
| Base-Emitter อิ่มตัวแรงดัน (สูงสุด) | Single | Single | Single | Single |
| ความถี่ขาเข้า | 1 | 1 | 1 | 1 |
| ปัจจุบัน - Peak Output (แหล่งที่มา, Sink) | 1A, 2A | 1A, 2A | 1A, 2A | 1A, 2A |
| การกำหนดค่าแบบขับเคลื่อน | Low-Side | Low-Side | Low-Side | Low-Side |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | 8-SOIC | 8-PDIP | 8-SOIC | 8-PDIP |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 8-SOIC (0.154', 3.90mm Width) | 8-DIP (0.300", 7.62mm) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-DIP (0.300', 7.62mm) |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | MC33153 | MC33153 | MC33153 | MC33153 |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | Through Hole | Surface Mount | Through Hole |
| ประเภทประตู | IGBT, N-Channel MOSFET | IGBT, N-Channel MOSFET | IGBT, N-Channel MOSFET | IGBT, N-Channel MOSFET |
| ชุด | - | - | - | - |
| แรงดันไฟฟ้า - อุปทาน | 11V ~ 20V | 11V ~ 20V | 11V ~ 20V | 11V ~ 20V |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | Tube | Tape & Reel (TR) | Tube |
| แรงดันลอจิก - VIL, VIH | 1.2V, 3.2V | 1.2V, 3.2V | 1.2V, 3.2V | 1.2V, 3.2V |
| ประเภทขาเข้า | Inverting | Inverting | Inverting | Inverting |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -40°C ~ 150°C (TJ) | -40°C ~ 150°C (TJ) | -40°C ~ 150°C (TJ) | -40°C ~ 150°C (TJ) |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล MC33153DR2G PDF และเอกสาร onsemi สำหรับ MC33153DR2G - onsemi
MC33153PonsemiIC GATE DRVR LOW-SIDE 8DIPMC33153DR2onsemiIC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC
MC33161DMR2GonsemiIC SUPERVISOR 2 CHANNEL MICRO8MC33153PGonsemiIC GATE DRVR LOW-SIDE 8DIP
MC33153DRAMI Semiconductor/onsemi
MC33160DWR2GonsemiIC SUPERVISOR 1 CHANNEL 16SOICMC33153ONsemiMC33153DonsemiIC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOICMC33160DWonsemiIC SUPERVISOR 1 CHANNEL 16SOICMC33152DR2GonsemiIC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC
MC33160PonsemiIC SUPERVISOR 1 CHANNEL 16DIPMC33152PGonsemiIC GATE DRVR LOW-SIDE 8DIPMC33152PonsemiIC GATE DRVR LOW-SIDE 8DIPMC33161DonsemiIC SUPERVISOR 2 CHANNEL 8SOICMC33161AMI Semiconductor/onsemiMC33153DGONsemiMC33161DGonsemiIC SUPERVISOR 2 CHANNEL 8SOICMC33152VDR2GonsemiIC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? โปรด เพิ่มลงในรถเข็น เราจะติดต่อคุณทันที