ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี MCR100-8G
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ onsemi - MCR100-8G คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ onsemi - MCR100-8G
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | onsemi | |
| แรงดันไฟฟ้า - วันที่ของรัฐ (Vtm) (สูงสุด) | 1.7 V | |
| แรงดันไฟฟ้า - ปิดเครื่อง | 600 V | |
| แรงดันไฟฟ้า - กระตุ้นเกท (Vgt) (สูงสุด) | 800 mV | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-92 (TO-226) | |
| ชุด | - | |
| ประเภท SCR | Sensitive Gate | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-226-3, TO-92-3 Long Body | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| อุณหภูมิในการทำงาน | -40°C ~ 110°C | |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
| ปัจจุบัน - วันที่ของรัฐ (มัน (RMS)) (สูงสุด) | 800 mA | |
| ปัจจุบันเปิด - ปิดของรัฐ (สูงสุด) | 10 µA | |
| ปัจจุบัน -. องค์กรไม่แสวงหาตัวแทน Surge 50, 60Hz (ITSM) | 10A @ 60Hz | |
| ปัจจุบัน - ถือ (Ih) (สูงสุด) | 5 mA | |
| ปัจจุบัน - กระตุ้นเกท (Igt) (สูงสุด) | 200 µA | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | MCR10 |
| คุณลักษณะ | ลักษณะ |
|---|---|
| สถานภาพ RoHS | |
| ระดับความไวต่อความชื้น (MSL) | 1 (Unlimited) |
| เข้าถึงสถานะ | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8541.30.0080 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ onsemi MCR100-8G
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
 |
 |
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | MCR100-8G | MCR100-8 | MCR100-8RLG | MCR100-6ZL1G |
| ผู้ผลิต | onsemi | Diodes Incorporated | Fairchild Semiconductor | onsemi |
| แรงดันไฟฟ้า - กระตุ้นเกท (Vgt) (สูงสุด) | 800 mV | 800 mV | 800 mV | 800 mV |
| ปัจจุบัน - ถือ (Ih) (สูงสุด) | 5 mA | 5 mA | 5 mA | 5 mA |
| แรงดันไฟฟ้า - ปิดเครื่อง | 600 V | 600 V | 600 V | 400 V |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | MCR10 | MCR100 | - | MCR10 |
| ปัจจุบัน - วันที่ของรัฐ (มัน (RMS)) (สูงสุด) | 800 mA | 250 mA | 800 mA | 800 mA |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -40°C ~ 110°C | -40°C ~ 110°C (TJ) | -40°C ~ 110°C | -40°C ~ 110°C |
| ประเภท SCR | Sensitive Gate | Sensitive Gate | Sensitive Gate | Sensitive Gate |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | Tape & Reel (TR) | Bulk | Cut Tape (CT) |
| ชุด | - | - | - | - |
| ปัจจุบันเปิด - ปิดของรัฐ (สูงสุด) | 10 µA | 10 µA | 10 µA | 10 µA |
| แรงดันไฟฟ้า - วันที่ของรัฐ (Vtm) (สูงสุด) | 1.7 V | 1.5 V | 1.7 V | 1.7 V |
| ปัจจุบัน -. องค์กรไม่แสวงหาตัวแทน Surge 50, 60Hz (ITSM) | 10A @ 60Hz | 9A @ 60Hz | 10A @ 60Hz | 10A @ 60Hz |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-92 (TO-226) | SOT-23-3 | TO-92 (TO-226) | TO-92 (TO-226) |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-226-3, TO-92-3 Long Body | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads) | TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads) |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | Surface Mount | Through Hole | Through Hole |
| ปัจจุบัน - กระตุ้นเกท (Igt) (สูงสุด) | 200 µA | 50 µA | 200 µA | 200 µA |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล MCR100-8G PDF และเอกสาร onsemi สำหรับ MCR100-8G - onsemi
MCR100-6RLRMAMI Semiconductor/onsemi
MCR100G-6-AC-AE3-RUTCMCR100-8Diodes IncorporatedTHYRISTOR SOT23 T&R 3K
MCR100EZHFR025LAPIS TechnologyMCR100-8 30-80MCR100-8RLGFairchild SemiconductorSCR 600V 800MA TO92-3MCR100-6ZL1GonsemiSCR 400V 800MA TO92-3MCR100-8RLGonsemiSCR 600V 800MA TO92-3MCR100G-6-AC-AB3-RUTCMCR100-8A1GTaiwan SemicMCR100-8MGAMI Semiconductor/onsemiMCR100-8G/TO-92AMI Semiconductor/onsemiMCR100-7GAMI Semiconductor/onsemi
MCR100-8GMotorolaSCR, TO-92, 600V, 0.8A, SENS GATMCR100-6RLRMGonsemiSCR 400V 800MA TO92-3
MCR100-6USemtechMCR100-8RLonsemiTHYRISTOR SCR 0.8A 600V TO92MCR100-6STONTERS| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? โปรด เพิ่มลงในรถเข็น เราจะติดต่อคุณทันที