ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี MJD112-1G
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ onsemi - MJD112-1G คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ onsemi - MJD112-1G
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | onsemi | |
| แรงดันไฟฟ้า - คอ Emitter พังทลาย (สูงสุด) | 100 V | |
| VCE อิ่มตัว (สูงสุด) @ Ib, Ic | 3V @ 40mA, 4A | |
| ประเภททรานซิสเตอร์ | NPN - Darlington | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | I-PAK | |
| ชุด | - | |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์ | 1.75 W | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube | |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -65°C ~ 150°C (TJ) | |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
| ความถี่ - การเปลี่ยน | 25MHz | |
| DC กำไรปัจจุบัน (HFE) (ต่ำสุด) @ IC, VCE | 1000 @ 2A, 3V | |
| ปัจจุบัน - นักลัด (สูงสุด) | 20µA | |
| ปัจจุบัน - สะสม (IC) (สูงสุด) | 2 A | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | MJD112 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ onsemi MJD112-1G
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
|
 |
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | MJD112-1G | MJD112T4 | MJD117-1G | MJD112TF |
| ผู้ผลิต | onsemi | STMicroelectronics | onsemi | Fairchild Semiconductor |
| ปัจจุบัน - สะสม (IC) (สูงสุด) | 2 A | 2 A | 2 A | 2 A |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | Surface Mount | Through Hole | Surface Mount |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube | Tape & Reel (TR) | Tube | Bulk |
| ปัจจุบัน - นักลัด (สูงสุด) | 20µA | 20µA | 20µA | 20µA |
| ความถี่ - การเปลี่ยน | 25MHz | 25MHz | 25MHz | 25MHz |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | MJD112 | MJD112 | MJD117 | MJD11 |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์ | 1.75 W | 20 W | 1.75 W | 1.75 W |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -65°C ~ 150°C (TJ) | 150°C (TJ) | -65°C ~ 150°C (TJ) | 150°C (TJ) |
| แรงดันไฟฟ้า - คอ Emitter พังทลาย (สูงสุด) | 100 V | 100 V | 100 V | 100 V |
| ชุด | - | - | - | - |
| ประเภททรานซิสเตอร์ | NPN - Darlington | NPN - Darlington | PNP - Darlington | NPN - Darlington |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| DC กำไรปัจจุบัน (HFE) (ต่ำสุด) @ IC, VCE | 1000 @ 2A, 3V | 1000 @ 2A, 3V | 1000 @ 2A, 3V | 1000 @ 2A, 3V |
| VCE อิ่มตัว (สูงสุด) @ Ib, Ic | 3V @ 40mA, 4A | 3V @ 40mA, 4A | 3V @ 40mA, 4A | 3V @ 40mA, 4A |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | I-PAK | DPAK | I-PAK | D-Pak |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล MJD112-1G PDF และเอกสาร onsemi สำหรับ MJD112-1G - onsemi
MJD112T4STMicroelectronicsTRANS NPN DARL 100V 2A DPAKMJD117-1GonsemiTRANS PNP DARL 100V 2A IPAK
MJD112/117AMI Semiconductor/onsemiMJD112TFFairchild SemiconductorTRANS NPN DARL 100V 2A DPAK
MJD112-1MOTOROLAMJD117 MOSMOTOROLAMJD112T4G/J112GAMI Semiconductor/onsemiMJD112-RTFKEC
MJD117onsemiTRANS PNP DARL 100V 2A DPAKMJD112CJMJD112T4onsemiTRANS DARL NPN 2A 100V DPAK
MJD112TFonsemiTRANS NPN DARL 100V 2A DPAKMJD112GonsemiTRANS NPN DARL 100V 2A DPAKMJD112G MOSMJD112 MOSAMI Semiconductor/onsemiMJD112-RTF/PKECMJD112RLonsemiTRANS NPN DARL 100V 2A DPAKMJD112T4GonsemiTRANS NPN DARL 100V 2A DPAK| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที