ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี MJD122-1G
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ onsemi - MJD122-1G คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ onsemi - MJD122-1G
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | onsemi | |
| แรงดันไฟฟ้า - คอ Emitter พังทลาย (สูงสุด) | 100 V | |
| VCE อิ่มตัว (สูงสุด) @ Ib, Ic | 4V @ 80mA, 8A | |
| ประเภททรานซิสเตอร์ | NPN - Darlington | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | DPAK | |
| ชุด | - | |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์ | 1.75 W | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube | |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -65°C ~ 150°C (TJ) | |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | |
| ความถี่ - การเปลี่ยน | 4MHz | |
| DC กำไรปัจจุบัน (HFE) (ต่ำสุด) @ IC, VCE | 1000 @ 4A, 4V | |
| ปัจจุบัน - นักลัด (สูงสุด) | 10µA | |
| ปัจจุบัน - สะสม (IC) (สูงสุด) | 8 A | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | MJD122 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ onsemi MJD122-1G
| คุณสมบัติสินค้า |  |
|
 |
 |
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | MJD122-1G | MJD122T4G | MJD122T4 | MJD117TF |
| ผู้ผลิต | onsemi | onsemi | STMicroelectronics | Fairchild Semiconductor |
| ปัจจุบัน - สะสม (IC) (สูงสุด) | 8 A | 8 A | 8 A | 2 A |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| ชุด | - | - | - | - |
| ประเภททรานซิสเตอร์ | NPN - Darlington | NPN - Darlington | NPN - Darlington | PNP - Darlington |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Bulk |
| ความถี่ - การเปลี่ยน | 4MHz | 4MHz | - | 25MHz |
| DC กำไรปัจจุบัน (HFE) (ต่ำสุด) @ IC, VCE | 1000 @ 4A, 4V | 1000 @ 4A, 4V | 1000 @ 4A, 4V | 1000 @ 2A, 3V |
| VCE อิ่มตัว (สูงสุด) @ Ib, Ic | 4V @ 80mA, 8A | 4V @ 80mA, 8A | 4V @ 80mA, 8A | 3V @ 40mA, 4A |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์ | 1.75 W | 1.75 W | 20 W | 1.75 W |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -65°C ~ 150°C (TJ) | -65°C ~ 150°C (TJ) | 150°C (TJ) | 150°C (TJ) |
| ปัจจุบัน - นักลัด (สูงสุด) | 10µA | 10µA | 10µA | 20µA |
| แรงดันไฟฟ้า - คอ Emitter พังทลาย (สูงสุด) | 100 V | 100 V | 100 V | 100 V |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | MJD122 | MJD122 | MJD122 | - |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | DPAK | DPAK | DPAK | TO-252-3 (DPAK) |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล MJD122-1G PDF และเอกสาร onsemi สำหรับ MJD122-1G - onsemi
MJD121E300NA
MJD122T4G/J122GAMI Semiconductor/onsemiMJD122 80/GMJD122T4GonsemiTRANS NPN DARL 100V 8A DPAKMJD122T4STMicroelectronicsTRANS NPN DARL 100V 8A DPAKMJD117T4G MOSMJD122 MOSAMI Semiconductor/onsemiMJD117TFFairchild SemiconductorPOWER BIPOLAR TRANSISTOR, 2A, 10MJD122CJ
MJD117TFonsemiTRANS PNP DARL 100V 2A DPAKMJD117T4GonsemiTRANS PNP DARL 100V 2A DPAKMJD122T4onsemiTRANS DARL NPN 8A 100V DPAKMJD122GonsemiTRANS NPN DARL 100V 8A DPAKMJD122/127AMI Semiconductor/onsemi
MJD122T4 MOSSTMicroelectronicsMJD122DTT4STMicroelectronicsMJD122T4G MOSAMI Semiconductor/onsemiMJD117T4G/J117GAMI Semiconductor/onsemi| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที