ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี MJD3055G
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ onsemi - MJD3055G คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ onsemi - MJD3055G
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | onsemi | |
| แรงดันไฟฟ้า - คอ Emitter พังทลาย (สูงสุด) | 60 V | |
| VCE อิ่มตัว (สูงสุด) @ Ib, Ic | 8V @ 3.3A, 10A | |
| ประเภททรานซิสเตอร์ | NPN | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | DPAK | |
| ชุด | - | |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์ | 1.75 W | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube | |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | |
| ความถี่ - การเปลี่ยน | 2MHz | |
| DC กำไรปัจจุบัน (HFE) (ต่ำสุด) @ IC, VCE | 20 @ 4A, 4V | |
| ปัจจุบัน - นักลัด (สูงสุด) | 50µA | |
| ปัจจุบัน - สะสม (IC) (สูงสุด) | 10 A | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | MJD30 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ onsemi MJD3055G
| คุณสมบัติสินค้า |  |
|
|
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | MJD3055G | MJD2955T4G | MJD2955T4 | MJD3055T4G |
| ผู้ผลิต | onsemi | onsemi | onsemi | onsemi |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์ | 1.75 W | 1.75 W | 20 W | 1.75 W |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube | Tape & Reel (TR) | Cut Tape (CT) | Tape & Reel (TR) |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| ปัจจุบัน - สะสม (IC) (สูงสุด) | 10 A | 10 A | 10 A | 10 A |
| แรงดันไฟฟ้า - คอ Emitter พังทลาย (สูงสุด) | 60 V | 60 V | 60 V | 60 V |
| VCE อิ่มตัว (สูงสุด) @ Ib, Ic | 8V @ 3.3A, 10A | 8V @ 3.3A, 10A | 1.1V @ 400mA, 4A | 8V @ 3.3A, 10A |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | DPAK | DPAK | DPAK | DPAK |
| DC กำไรปัจจุบัน (HFE) (ต่ำสุด) @ IC, VCE | 20 @ 4A, 4V | 20 @ 4A, 4V | 20 @ 4A, 4V | 20 @ 4A, 4V |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | MJD30 | MJD2955 | MJD29 | MJD3055 |
| ชุด | - | - | - | - |
| ความถี่ - การเปลี่ยน | 2MHz | 2MHz | 2MHz | 2MHz |
| ปัจจุบัน - นักลัด (สูงสุด) | 50µA | 50µA | 50µA | 50µA |
| ประเภททรานซิสเตอร์ | NPN | PNP | PNP | NPN |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล MJD3055G PDF และเอกสาร onsemi สำหรับ MJD3055G - onsemi
MJD2955T4GonsemiTRANS PNP 60V 10A DPAKMJD2955T4onsemiTRANS PWR PNP 10A 60V DPAKMJD3055T4GonsemiTRANS NPN 60V 10A DPAK
MJD2955T4 MOSSTMicroelectronics
MJD31 MOSAMI Semiconductor/onsemi
MJD3055T4G MOSMJD2955TFonsemiTRANS PNP 60V 10A DPAK
MJD3055T4STMicroelectronicsTRANS NPN 60V 10A DPAKMJD2955T4G MOSMJD3055onsemiTRANS NPN 60V 10A DPAK
MJD3055TFonsemiTRANS NPN 60V 10A DPAKMJD29CTFonsemiTRANS NPN 100V 1A DPAKMJD3055T4onsemiTRANS PWR NPN 10A 60V DPAKMJD31C MOSSTMicroelectronicsMJD2955T4STMicroelectronicsTRANS PNP 60V 10A DPAKMJD31CSTMicroelectronicsTRANS NPN 100V 3A DPAKMJD3055 MOSCJMJD29C-1FSC| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที