ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี MJD44H11-1G
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ onsemi - MJD44H11-1G คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ onsemi - MJD44H11-1G
คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
---|---|---|
ผู้ผลิต | onsemi | |
แรงดันไฟฟ้า - คอ Emitter พังทลาย (สูงสุด) | 80 V | |
VCE อิ่มตัว (สูงสุด) @ Ib, Ic | 1V @ 400mA, 8A | |
ประเภททรานซิสเตอร์ | NPN | |
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | I-PAK | |
ชุด | - | |
เพาเวอร์ - แม็กซ์ | 1.75 W | |
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
---|---|---|
บรรจุุภัณฑ์ | Tube | |
อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
ความถี่ - การเปลี่ยน | 85MHz | |
DC กำไรปัจจุบัน (HFE) (ต่ำสุด) @ IC, VCE | 40 @ 4A, 1V | |
ปัจจุบัน - นักลัด (สูงสุด) | 1µA | |
ปัจจุบัน - สะสม (IC) (สูงสุด) | 8 A | |
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | MJD44 |
คุณลักษณะ | ลักษณะ |
---|---|
สถานภาพ RoHS | |
ระดับความไวต่อความชื้น (MSL) | 1 (Unlimited) |
เข้าถึงสถานะ | REACH Unaffected |
ECCN | EAR99 |
HTSUS |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ onsemi MJD44H11-1G
คุณสมบัติสินค้า | ||||
---|---|---|---|---|
รุ่นผลิตภัณฑ์ | MJD44H11-1G | MJD42CT4 | MJD44H11-001 | MJD44H11T4 |
ผู้ผลิต | onsemi | onsemi | onsemi | STMicroelectronics |
ความถี่ - การเปลี่ยน | 85MHz | 3MHz | 85MHz | - |
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | I-PAK | DPAK | I-PAK | DPAK |
แรงดันไฟฟ้า - คอ Emitter พังทลาย (สูงสุด) | 80 V | 100 V | 80 V | 80 V |
อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | -65°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | 150°C (TJ) |
ชุด | - | - | - | - |
เพาเวอร์ - แม็กซ์ | 1.75 W | 20 W | 1.75 W | 20 W |
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | Surface Mount | Through Hole | Surface Mount |
บรรจุุภัณฑ์ | Tube | Cut Tape (CT) | Tube | Tape & Reel (TR) |
ปัจจุบัน - สะสม (IC) (สูงสุด) | 8 A | 6 A | 8 A | 8 A |
ปัจจุบัน - นักลัด (สูงสุด) | 1µA | 50µA | 1µA | 10µA |
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | MJD44 | MJD42 | MJD44 | MJD44 |
ประเภททรานซิสเตอร์ | NPN | PNP | NPN | NPN |
VCE อิ่มตัว (สูงสุด) @ Ib, Ic | 1V @ 400mA, 8A | 1.5V @ 600mA, 6A | 1V @ 400mA, 8A | 1V @ 400mA, 8A |
DC กำไรปัจจุบัน (HFE) (ต่ำสุด) @ IC, VCE | 40 @ 4A, 1V | 15 @ 3A, 4V | 40 @ 4A, 1V | 40 @ 4A, 1V |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล MJD44H11-1G PDF และเอกสาร onsemi สำหรับ MJD44H11-1G - onsemi
การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
---|---|---|
ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
บราซิล | 7 | |
ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
ประเทศอังกฤษ | 4 | |
อิตาลี | 5 | |
มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
นิวซีแลนด์ | 5 | |
เอเชีย | อินเดีย | 4 |
ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
---|---|
ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? โปรด เพิ่มลงในรถเข็น เราจะติดต่อคุณทันที