ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี MJD45H11TF
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ onsemi - MJD45H11TF คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ onsemi - MJD45H11TF
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | onsemi | |
| แรงดันไฟฟ้า - คอ Emitter พังทลาย (สูงสุด) | 80 V | |
| VCE อิ่มตัว (สูงสุด) @ Ib, Ic | 1V @ 400mA, 8A | |
| ประเภททรานซิสเตอร์ | PNP | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | D-Pak | |
| ชุด | - | |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์ | 1.75 W | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | |
| อุณหภูมิในการทำงาน | 150°C (TJ) | |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | |
| ความถี่ - การเปลี่ยน | 40MHz | |
| DC กำไรปัจจุบัน (HFE) (ต่ำสุด) @ IC, VCE | 40 @ 4A, 1V | |
| ปัจจุบัน - นักลัด (สูงสุด) | 10µA | |
| ปัจจุบัน - สะสม (IC) (สูงสุด) | 8 A | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | MJD45 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ onsemi MJD45H11TF
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
 |
 |
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | MJD45H11TF | MJD45H11T4G | MJD45H11T4 | MJD45H11TM |
| ผู้ผลิต | onsemi | onsemi | STMicroelectronics | Fairchild Semiconductor |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| แรงดันไฟฟ้า - คอ Emitter พังทลาย (สูงสุด) | 80 V | 80 V | 80 V | 80 V |
| VCE อิ่มตัว (สูงสุด) @ Ib, Ic | 1V @ 400mA, 8A | 1V @ 400mA, 8A | 1V @ 400mA, 8A | 1V @ 400mA, 8A |
| ความถี่ - การเปลี่ยน | 40MHz | 90MHz | - | 40MHz |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | MJD45 | MJD45 | MJD45 | MJD45 |
| DC กำไรปัจจุบัน (HFE) (ต่ำสุด) @ IC, VCE | 40 @ 4A, 1V | 40 @ 4A, 1V | 40 @ 4A, 1V | 40 @ 4A, 1V |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์ | 1.75 W | 1.75 W | 20 W | 1.75 W |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Bulk |
| ประเภททรานซิสเตอร์ | PNP | PNP | PNP | PNP |
| ปัจจุบัน - สะสม (IC) (สูงสุด) | 8 A | 8 A | 8 A | 8 A |
| ชุด | - | - | - | - |
| อุณหภูมิในการทำงาน | 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | 150°C (TJ) | 150°C (TJ) |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | D-Pak | DPAK | DPAK | TO-252-3 |
| ปัจจุบัน - นักลัด (สูงสุด) | 10µA | 1µA | 10µA | 10µA |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล MJD45H11TF PDF และเอกสาร onsemi สำหรับ MJD45H11TF - onsemi
MJD45H11T4GonsemiTRANS PNP 80V 8A DPAK
MJD45H11T4G/J45H11GAMI Semiconductor/onsemiMJD45H11T4 MOSAMI Semiconductor/onsemiMJD45H11T4STMicroelectronicsTRANS PNP 80V 8A DPAKMJD45H11TMFairchild SemiconductorTRANS PNP 80V 8A TO252-3MJD45H8GAMI Semiconductor/onsemiMJD45H11TFFairchild SemiconductorTRANS PNP 80V 8A TO252-3MJD45H11GonsemiTRANS PNP 80V 8A DPAKMJD47T4STMicroelectronicsTRANS NPN 250V 1A DPAK
MJD45H11-1GonsemiTRANS PNP 80V 8A IPAKMJD45H11RLonsemiTRANS POWER PNP 8A 80V DPAKMJD45H11TM MOSFairchild (onsemi)MJD47GonsemiTRANS NPN 250V 1A DPAKMJD45H11TM-NLFairchild (onsemi)MJD45H11TMonsemiTRANS PNP 80V 8A TO252-3MJD47T4onsemiTRANS PWR NPN 1A 250V DPAKMJD45H11RLGonsemiTRANS PNP 80V 8A DPAK
MJD45H11G MOS| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที