ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี MJE200G
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ onsemi - MJE200G คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ onsemi - MJE200G
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | onsemi | |
| แรงดันไฟฟ้า - คอ Emitter พังทลาย (สูงสุด) | 40 V | |
| VCE อิ่มตัว (สูงสุด) @ Ib, Ic | 1.8V @ 1A, 5A | |
| ประเภททรานซิสเตอร์ | NPN | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-126 | |
| ชุด | - | |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์ | 15 W | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-225AA, TO-126-3 |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -65°C ~ 150°C (TJ) | |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
| ความถี่ - การเปลี่ยน | 65MHz | |
| DC กำไรปัจจุบัน (HFE) (ต่ำสุด) @ IC, VCE | 45 @ 2A, 1V | |
| ปัจจุบัน - นักลัด (สูงสุด) | 100nA (ICBO) | |
| ปัจจุบัน - สะสม (IC) (สูงสุด) | 5 A | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | MJE200 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ onsemi MJE200G
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
 |
 |
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | MJE200G | MJE181STU | MJE210STU | MJE182 |
| ผู้ผลิต | onsemi | Fairchild Semiconductor | onsemi | NTE Electronics, Inc |
| VCE อิ่มตัว (สูงสุด) @ Ib, Ic | 1.8V @ 1A, 5A | 1.7V @ 600mA, 3A | 1.8V @ 1A, 5A | 1.7V @ 600mA, 3A |
| ประเภททรานซิสเตอร์ | NPN | NPN | PNP | NPN |
| ความถี่ - การเปลี่ยน | 65MHz | 50MHz | 65MHz | 50MHz |
| ปัจจุบัน - สะสม (IC) (สูงสุด) | 5 A | 3 A | 5 A | 3 A |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| DC กำไรปัจจุบัน (HFE) (ต่ำสุด) @ IC, VCE | 45 @ 2A, 1V | 50 @ 100mA, 1V | 45 @ 2A, 1V | 50 @ 100mA, 1V |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-225AA, TO-126-3 | TO-225AA, TO-126-3 | TO-225AA, TO-126-3 | TO-225AA, TO-126-3 |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | Bulk | Tube | Bag |
| ชุด | - | - | - | - |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -65°C ~ 150°C (TJ) | 150°C (TJ) | 150°C (TJ) | 150°C (TJ) |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-126 | TO-126-3 | TO-126-3 | SOT-32-3 |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์ | 15 W | 1.5 W | 15 W | 12.5 W |
| แรงดันไฟฟ้า - คอ Emitter พังทลาย (สูงสุด) | 40 V | 60 V | 25 V | 80 V |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | MJE200 | - | MJE210 | - |
| ปัจจุบัน - นักลัด (สูงสุด) | 100nA (ICBO) | 100µA (ICBO) | 100nA (ICBO) | 100nA (ICBO) |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล MJE200G PDF และเอกสาร onsemi สำหรับ MJE200G - onsemi
MJE181STUFairchild SemiconductorPOWER BIPOLAR TRANSISTOR, 3A, 60MJE210STUonsemiTRANS PNP 25V 5A TO126-3MJE182NTE Electronics, IncTRANS NPN 80V 3A SOT32-3MJE182STUonsemiTRANS NPN 80V 3A TO126-3MJE181STUonsemiTRANS NPN 60V 3A TO126-3MJE182onsemiTRANS PWR NPN 3A 80V TO225AAMJE200STUonsemiTRANS NPN 25V 5A TO126-3MJE182STUFairchild SemiconductorTRANS NPN 80V 3A TO126-3MJE18204onsemiPOWER BIPOLAR TRANSISTOR NPNMJE200TSTUonsemiTRANS NPN 25V 5A TO126-3
MJE210STMicroelectronicsTRANS PNP 25V 5A SOT32-3MJE210GonsemiTRANS PNP 40V 5A TO126MJE200STUFairchild SemiconductorTRANS NPN 25V 5A TO126-3MJE200onsemiTRANS PWR NPN 5A 25V TO225AAMJE182GonsemiTRANS NPN 80V 3A TO126MJE210onsemiTRANS PNP 40V 5A TO126MJE182STMicroelectronicsTRANS NPN 80V 3A SOT32-3MJE210TonsemiTRANS PNP 40V 5A TO126| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที