ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี MMBD914LT1G
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ onsemi - MMBD914LT1G คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ onsemi - MMBD914LT1G
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | onsemi | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1 V @ 10 mA | |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 100 V | |
| เทคโนโลยี | Standard | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | SOT-23-3 (TO-236) | |
| ความเร็ว | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed | |
| ชุด | - | |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 4 ns |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -55°C ~ 150°C | |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 5 µA @ 75 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 200mA | |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | 4pF @ 0V, 1MHz | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | MMBD914 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ onsemi MMBD914LT1G
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | MMBD914LT1G | MMBD914-7 | MMBD914-7-F | MMBD914LT3 |
| ผู้ผลิต | onsemi | Diodes Incorporated | Diodes Incorporated | onsemi |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 200mA | 300mA | 300mA | 200mA |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 5 µA @ 75 V | 1 µA @ 75 V | 1 µA @ 75 V | 5 µA @ 75 V |
| เทคโนโลยี | Standard | Standard | Standard | Standard |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -55°C ~ 150°C | -65°C ~ 150°C | -65°C ~ 150°C | - |
| ความเร็ว | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
| ชุด | - | - | - | - |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | MMBD914 | MMBD914 | MMBD914 | MMBD91 |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 100 V | 75 V | 75 V | 100 V |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1 V @ 10 mA | 1.25 V @ 150 mA | 1.25 V @ 150 mA | 1 V @ 10 mA |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | SOT-23-3 (TO-236) | SOT-23-3 | SOT-23-3 | SOT-23-3 (TO-236) |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | 4pF @ 0V, 1MHz | 2pF @ 0V, 1MHz | 2pF @ 0V, 1MHz | 4pF @ 0V, 1MHz |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 4 ns | 4 ns | 4 ns | 4 ns |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล MMBD914LT1G PDF และเอกสาร onsemi สำหรับ MMBD914LT1G - onsemi
MMBD914-GS08Electro-Films (EFI) / VishayMMBD914-7Diodes IncorporatedDIODE GEN PURP 75V 300MA SOT23-3
MMBD914TSPANJIT
MMBF0201N-NLFairchild (onsemi)
MMBF0201NAMI Semiconductor/onsemiMMBD914-7-FDiodes IncorporatedDIODE GEN PURP 75V 300MA SOT23-3MMBDT3904PANJITMMBD914-V-GS08Electro-Films (EFI) / VishayMMBD914LT3onsemiDIODE SWITCHING HS 100V SOT-23
MMBD914-E3-08Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GP 100V 200MA SOT23-3
MMBD914LT1onsemiDIODE FAST SWITCH 100V SOT23
MMBD914LT1HTSA1InfineonMMBD914LT1(5D)AMI Semiconductor/onsemi
MMBD914-7-GDiodes IncorporatedMMBD914-TFUKUCOMMMBD914WSJITMMBDT3946Diodes IncorporatedMMBD914LT3GonsemiDIODE GP 100V 200MA SOT23-3| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที