ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี MMBT2131T1G
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ onsemi - MMBT2131T1G คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ onsemi - MMBT2131T1G
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | onsemi | |
| แรงดันไฟฟ้า - คอ Emitter พังทลาย (สูงสุด) | 30 V | |
| VCE อิ่มตัว (สูงสุด) @ Ib, Ic | 400mV @ 70mA, 700mA | |
| ประเภททรานซิสเตอร์ | PNP | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | SC-74 | |
| ชุด | - | |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์ | 342 mW | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | SC-74, SOT-457 |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | |
| ความถี่ - การเปลี่ยน | - | |
| DC กำไรปัจจุบัน (HFE) (ต่ำสุด) @ IC, VCE | 150 @ 100mA, 3V | |
| ปัจจุบัน - นักลัด (สูงสุด) | 1µA (ICBO) | |
| ปัจจุบัน - สะสม (IC) (สูงสุด) | 700 mA | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | MMBT2131 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ onsemi MMBT2131T1G
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
|
 |
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | MMBT2131T1G | MMBT2222 | MMBT2222A | MMBT2222A |
| ผู้ผลิต | onsemi | onsemi | Diotec Semiconductor | NTE Electronics, Inc |
| แรงดันไฟฟ้า - คอ Emitter พังทลาย (สูงสุด) | 30 V | 30 V | 40 V | 40 V |
| ชุด | - | - | - | - |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์ | 342 mW | 350 mW | 250 mW | 350 mW |
| ประเภททรานซิสเตอร์ | PNP | NPN | NPN | NPN |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Bag |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| ปัจจุบัน - สะสม (IC) (สูงสุด) | 700 mA | 600 mA | 600 mA | 600 mA |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | SC-74 | SOT-23-3 | SOT-23-3 (TO-236) | SOT-23-3 |
| VCE อิ่มตัว (สูงสุด) @ Ib, Ic | 400mV @ 70mA, 700mA | 1.6V @ 50mA, 500mA | 1V @ 50mA, 500mA | 1V @ 50mA, 500mA |
| ปัจจุบัน - นักลัด (สูงสุด) | 1µA (ICBO) | 10µA (ICBO) | 10nA (ICBO) | 10nA (ICBO) |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | SC-74, SOT-457 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| DC กำไรปัจจุบัน (HFE) (ต่ำสุด) @ IC, VCE | 150 @ 100mA, 3V | 100 @ 150mA, 10V | 100 @ 150mA, 10V | 100 @ 150mA, 10V |
| ความถี่ - การเปลี่ยน | - | 250MHz | 250MHz | 300MHz |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | MMBT2131 | MMBT2222 | MMBT2222 | MMBT2222 |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล MMBT2131T1G PDF และเอกสาร onsemi สำหรับ MMBT2131T1G - onsemi
MMBT1815L-GR-AE3-RUTC
MMBT1815T1GAMI Semiconductor/onsemiMMBT2222onsemiTRANS NPN 30V 0.6A SOT23-3MMBT2222ADiotec SemiconductorBJT SOT-23 40V 600MAMMBT2222ANTE Electronics, IncTRANS NPN 40V 1A SOT23-3MMBT1815CJMMBT2131T1AMI Semiconductor/onsemiMMBT1815G-GR-AE3-RUTCMMBT200onsemiTRANS PNP 45V 0.5A SOT23-3
MMBT2222ATaiwan Semiconductor CorporationSOT-23, 75V, 0.6A, NPN BIPOLAR TMMBT200AonsemiTRANS PNP 45V 0.5A SOT23-3MMBT1815LUTCMMBT2222 2N2222/SOT23AMI Semiconductor/onsemiMMBT2222AANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITEDGENERAL PURPOSE TRANSISTOR NPN S
MMBT2222AHY Electronic (Cayman) LimitedSMALL SIGNAL TRANSISTOR
MMBT2222AFairchild SemiconductorTRANS NPN 40V 0.6A SOT23-3MMBT2222Fairchild SemiconductorTRANS NPN 30V 0.6A SOT23-3MMBT2222AonsemiTRANS NPN 40V 1A SOT23-3| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที